【发明公布】封装方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_201811604376.8 

申请/专利权人:中芯集成电路(宁波)有限公司

申请日:2018-12-26

发明/设计人:秦晓珊

公开(公告)日:2020-07-03

代理机构:上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

公开(公告)号:CN111370324A

代理人:高静;李丽

主分类号:H01L21/56(20060101)

地址:315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢

分类号:H01L21/56(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.07.03#公开

摘要:本发明提供一种封装方法,包括:提供待封装结构,待封装结构包括多个芯片以及位于相邻芯片之间的塑封层,所述芯片具有正面和与所述正面相对的背面,芯片内形成有电连接结构,芯片正面暴露出所述电连接结构,且待封装结构具有多个接触区以及位于相邻接触区之间的缓冲区;进行选择性喷涂处理,向缓冲区的芯片正面以及塑封层表面喷洒浆料,并对缓冲区的浆料进行固化处理,在缓冲区形成缓冲层,所述缓冲层暴露出所述电连接结构表面;在缓冲层表面、以及接触区的电连接结构表面形成再布线层,所述再布线层与所述电连接结构电连接。本发明利用选择性喷涂处理形成缓冲层,减小了缓冲层形成工艺引入的损伤,进而提高了形成的封装结构的可靠性。

主权项:1.一种封装方法,其特征在于,包括:提供待封装结构,所述待封装结构包括多个芯片以及位于相邻芯片之间的塑封层,所述芯片具有正面和与所述正面相对的背面,所述芯片内形成有电连接结构,所述芯片正面暴露出所述电连接结构,且所述待封装结构具有多个接触区以及位于相邻接触区之间的缓冲区,每一所述接触区对应位于一芯片的电连接结构所在的区域;进行选择性喷涂处理,向所述缓冲区的芯片正面以及塑封层表面喷洒浆料,并对所述缓冲区的浆料进行固化处理,在所述缓冲区形成缓冲层,所述缓冲层暴露出所述电连接结构表面;在所述缓冲层表面、以及所述接触区的电连接结构表面形成再布线层,所述再布线层与所述电连接结构电连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯集成电路(宁波)有限公司 封装方法

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