申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2020-04-27

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370313A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L21/266(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.18#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明提供一种NMOS制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构和介质层，所述栅极结构覆盖部分衬底，所述介质层覆盖所述栅极结构和所述衬底。在介质层上形成应力层，与现有工艺中在两道侧墙完成之后沉积应力层相比，所述应力层与沟道之间距离缩短了，从而减少应力传递过程中的损失，增加了沟道的电子迁移率。然后，去除部分所述应力层，并使部分所述介质层裸露且剩余的所述应力层覆盖所述栅极结构的侧壁。以剩余的所述应力层作为掩膜，对所述衬底执行LDD离子注入工艺，再去除剩余的所述应力层。故所述NMOS器件的制备方法不仅能够提高电子的迁移率，还减少工艺流程，降低成本，提高制备效率。

主权项：1.一种NMOS器件的制备方法，其特征在于，所述NMOS器件的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构和介质层，所述栅极结构覆盖部分所述衬底，所述介质层覆盖所述栅极结构和所述衬底；在所述介质层上形成应力层；去除部分所述应力层，并使部分所述介质层裸露且剩余的所述应力层覆盖所述栅极结构的侧壁；以剩余的所述应力层作为掩膜，对所述衬底执行LDD离子注入工艺；去除剩余的所述应力层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 NMOS器件的制备方法

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