申请/专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司

申请日：2018-12-26

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370341A

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.07.15#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明提供了一种晶体硅电池界面复合速率的测试方法，包括选取若干硅片，进行制绒、扩散、清洗与镀膜；在镀膜后的硅片表面印刷浆料、烧结得到若干具有不同图案电极栅线的电池片，进行测试；以及f为坐标建立平面坐标系，并在该平面坐标系中对若干所述电池片的相应数据进行线性拟合，得到斜率k为再求解得到Sme‑Si。本发明测试方法无需对电池片上的电极栅线进行清洗，降低化学品损耗，减少废液排放；且通过常规I‑V测试设备即可实现，减少设备投入成本，具有较高的实用价值。

主权项：1.一种晶体硅电池界面复合速率的测试方法，其特征在于：选取若干硅片，进行制绒、扩散、清洗与镀膜；在镀膜后的硅片表面印刷浆料、烧结得到若干具有不同图案电极栅线的电池片，并进行测试；引入下列方程式： 其中，VOC为电池片测试得到的开路电压，JSC为电池片测试得到的短路电流，J0为反向饱和电流，kB为玻尔兹曼常数，T为温度，q为电子电荷量，ni是硅片本征载流子浓度，Δn为非平衡载流子浓度，NA是硅片体掺杂浓度，f为电极栅线与硅片接触面积占比，Sme-Si为电极栅线与硅片接触位置的复合速率，Sm为硅片表面膜层的复合速率，结合上述方程式，得关系式： 建立平面坐标系，坐标轴分别为与f；根据若干所述电池片测试得到的开路电压VOC、短路电流JSC以及相应电池片的电极栅线与硅片接触面积占比f，在前述平面坐标系中标记相应的数据点，并将若干电池片对应的数据点进行线性拟合，其中，斜率k为： 求解即可得到Sme-Si。

全文数据：

权利要求：

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