申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2020-03-13

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370525A

主分类号：H01L31/108(20060101)

分类号：H01L31/108(20060101);H01L27/144(20060101);H01L31/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.03#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明公开了一种光电探测器、其制备方法及光电探测装置，本发明通过在衬底基板上直接形成感光半导体层，以及在形成有感光半导体层的衬底基板上形成电极层，即本发明采用在衬底基板上先形成感光器件，再形成开关晶体管，这样可以提高感光器件中各膜层的均匀性，从而提高光电探测器的整体均匀性，进而提高光电探测器的性能；另外，现有技术中是采用先形成开关晶体管再形成感光器件，这样感光半导体层对金属氧化物TFT的电学特性产生影响；而本发明在衬底基板上先形成感光半导体层，这样可以降低感光半导体层对金属氧化物TFT电学特性的影响；另外，采用本发明的结构还可以减少Mask工艺。

主权项：1.一种光电探测器，其特征在于，包括：衬底基板，直接位于所述衬底基板上的感光半导体层，位于所述感光半导体层背离所述衬底基板一侧的电极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 光电探测器、其制备方法及光电探测装置

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