申请/专利权人：株式会社日立高新技术

申请日：2018-10-26

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111373511A

主分类号：H01L21/3065(20060101)

分类号：H01L21/3065(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.26#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：为了实现在改善前端变细的形状的同时抑制蚀刻速率下降的等离子体蚀刻方法，等离子体处理装置具备对试料进行等离子体处理的处理室、供给用于生成等离子体的高频电力的第一高频电源、载置试料的试料台以及向试料台供给高频电力的第二高频电源，其中，该等离子体处理装置还具备控制部，对第一高频电源和第二高频电源进行控制，使得使用由溴化氢气体、氢氟烃气体以及含氮元素气体的混合气体生成的等离子体，对硅氧化膜与多晶硅交替层叠而得到的层叠膜或硅氧化膜与硅氮化膜交替层叠而得到的层叠膜进行蚀刻。

主权项：1.一种等离子体处理方法，在该等离子体处理方法中，使用等离子体对硅氧化膜与多晶硅交替层叠而得到的第一层叠膜或硅氧化膜与硅氮化膜交替层叠而得到的第二层叠膜进行蚀刻，其特征在于，使用溴化氢气体、氢氟烃气体以及含氮元素气体的混合气体来对所述第一层叠膜或所述第二层叠膜进行蚀刻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社日立高新技术 等离子体处理装置及等离子体处理方法

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