申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2018-12-05

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111373539A

主分类号：H01L27/11578(20060101)

分类号：H01L27/11578(20060101);H01L27/1157(20060101)

优先权：["20171227 US 62/610,640"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2023.06.09#发明专利申请公布后的撤回;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：一些实施例包括一种具有用于传导电流的沟道的组件。沟道包括第一沟道部分和第二沟道部分。第一存储器单元结构在第一栅极和第一沟道部分之间。第一存储器单元结构包括第一电荷存储区域和第一电荷阻挡区域。第二存储器单元结构在第二栅极和第二沟道部分之间。第二存储器单元结构包括第二电荷存储区域和第二电荷阻挡区域。第一和第二电荷阻挡区域包括氮氧化硅。空隙位于第一和第二栅极之间以及第一和第二存储器单元结构之间。一些实施例包括存储器阵列例如，NAND存储器阵列，并且一些实施例包括形成存储器阵列的方法。

主权项：1.一种组件，其包含：用于传导电流的沟道；所述沟道包括第一沟道部分和第二沟道部分；第一存储器单元结构，其位于第一栅极和所述第一沟道部分之间；所述第一存储器单元结构包括第一电荷存储区域和第一电荷阻挡区域；所述第一电荷阻挡区域位于所述第一电荷存储区域和所述第一栅极之间；所述第一电荷阻挡区域包含氮氧化硅；第二存储器单元结构，其位于第二栅极和所述第二沟道部分之间；所述第二存储器单元结构包括第二电荷存储区域和第二电荷阻挡区域；所述第二电荷阻挡区域位于所述第二电荷存储区域和所述第二栅极之间；所述第二电荷阻挡区域包含氮氧化硅；以及空隙，其位于所述第一栅极和所述第二栅极之间以及所述第一存储器单元结构和所述第二存储器单元结构之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 存储器阵列和形成存储器阵列的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD