申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-01-28

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111373532A

主分类号：H01L27/11524(20170101)

分类号：H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.23#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：半导体器件包括堆叠在衬底上的第一层堆叠。第一层堆叠包括通过代替源牺牲层而形成的源连接层。半导体器件包括在第一层堆叠中延伸的沟道结构。沟道结构包括与第一层堆叠中的源连接层接触的沟道层。此外，半导体器件包括在第一层堆叠中形成的屏蔽结构。该屏蔽结构包围没有源连接层的层堆叠。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；第一层堆叠，其包括源连接层，所述第一层堆叠沿垂直于所述衬底的主表面的第一方向被堆叠在所述衬底上；沟道结构，其被配置为沿所述第一方向延伸到所述第一层堆叠中，所述沟道结构包括与所述第一层堆叠中的所述源连接层接触的沟道层；以及屏蔽结构，其被形成在所述第一层堆叠中，所述屏蔽结构包围没有所述源连接层的层堆叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 垂直存储器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD