申请/专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司

申请日：2020-03-09

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370480A

主分类号：H01L29/739(20060101)

分类号：H01L29/739(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/36(20060101);H01L29/417(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/331(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本发明公开了一种功率器件、功率器件的制作方法，功率器件包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，外延层包括漂移层，漂移层配置为第一导电类型；导柱，配置为第二导电类型，导柱位于外延层内；体区，配置为第二导电类型，体区位于外延层的背离衬底侧的表面，以及隔离层，配置为第一导电类型，隔离层位于体区与导柱之间，隔离层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度。根据本发明实施例的功率器件，隔离层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度，能够降低集电极与发射极之间的饱和电压，提高关断速度。

主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括漂移层，所述漂移层配置为第一导电类型；导柱，配置为第二导电类型，所述导柱位于所述外延层内；体区，配置为所述第二导电类型，所述体区位于所述外延层的背离所述衬底侧的表面；以及隔离层，配置为所述第一导电类型，所述隔离层位于所述体区与所述导柱之间，所述隔离层的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 瑞能半导体科技股份有限公司 功率器件、功率器件的制作方法

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