申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-04-30

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111370493A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L23/60(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.12.16#发明专利申请公布后的驳回;2020.07.28#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：本申请公开了一种RFLDMOS器件及其制造方法，涉及半导体制造领域。该RFLDMOS器件至少包括衬底、外延层、漂移区和体区；漂移区内设置有RFLDMOS的漏区，体区内设置有重掺杂区和源区；外延层表面设置有栅极结构；体区、漂移区和栅极结构顶部覆盖有介质层；法拉第屏蔽罩结构覆盖介质层，且法拉第屏蔽罩结构位于多晶硅栅靠近漏区的部分的上方和漂移区靠近多晶硅栅的部分的上方；法拉第屏蔽罩结构由堆叠的钛金属层、氮化钛层和钨金属层组成；贯穿体区和外延层，且底部位于衬底中的下沉通孔；解决了高频下现有的法拉第屏蔽罩结构易引起非线性的问题；达到了提升高频下RFLDMOS器件的宽带性能的效果。

主权项：1.一种RFLDMOS器件，其特征在于，至少包括衬底、位于所述衬底上方的外延层；所述外延层中设置有漂移区和体区；所述漂移区内设置有RFLDMOS的漏区，所述体区内设置有重掺杂区和RFLDMOS的源区，所述重掺杂区与所述RFLDMOS的源区连接；所述外延层表面设置有所述RFLDMOS的栅极结构，所述栅极结构包括栅氧化层、多晶硅栅、以及位于所述多晶硅栅外侧的栅极侧墙；所述RFLDMOS的体区、漂移区和栅极结构顶部覆盖有介质层；法拉第屏蔽罩结构覆盖所述介质层，且所述法拉第屏蔽罩结构位于所述多晶硅栅靠近所述漏区的部分的上方和所述漂移区靠近所述多晶硅栅的部分的上方；所述法拉第屏蔽罩结构由堆叠的钛金属层、氮化钛层和钨金属层组成；底部位于所述衬底中的下沉通孔，所述下沉通孔贯穿所述体区和所述外延层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 RFLDMOS器件及其制造方法

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