申请/专利权人：三星显示有限公司

申请日：2015-10-19

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN105552128B

主分类号：H01L29/786(20060101)

分类号：H01L29/786(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：["20141022 KR 10-2014-0143178"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.03#授权;2017.10.20#实质审查的生效;2016.05.04#公开

摘要：公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件可以包括衬底、设置在衬底上的栅极、设置在衬底上以覆盖栅极的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上并包括氧化物半导体的有源层、设置在栅极绝缘层上以覆盖有源层的绝缘中间层、设置在绝缘中间层上并包括多个金属氧化物层的保护结构、以及设置在保护结构上的源极和漏极。

主权项：1.一种半导体器件，包括：栅极，设置在衬底上；栅极绝缘层，设置在所述衬底上以覆盖所述栅极；有源层，设置在所述栅极绝缘层上，所述有源层包括氧化物半导体；绝缘中间层，设置在所述栅极绝缘层上并被配置为覆盖所述有源层；保护结构，设置在所述绝缘中间层上；以及源极和漏极，设置在所述保护结构上，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的源区和漏区接触，其中，所述保护结构包括设置在所述绝缘中间层上的第一金属氧化物层和设置在所述第一金属氧化物层上的第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层包含相同的金属氧化物，并且所述第一金属氧化物层具有与所述第二金属氧化物层的第二氧含量不同的第一氧含量，以及所述第二氧含量在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的交界处从所述第一氧含量突然变化。

全文数据：

权利要求：

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