申请/专利权人：深圳市华星光电技术有限公司

申请日：2017-09-01

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN107589581B

主分类号：G02F1/1335(20060101)

分类号：G02F1/1335(20060101);G03F7/20(20060101);G02F1/1362(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.03#授权;2018.02.09#实质审查的生效;2018.01.16#公开

摘要：本发明公开了一种阵列基板色阻层的制备方法、阵列基板及显示面板。该阵列基板包括依次设置的第一钝化层、色阻层及第二钝化层，色阻层形成有第二通孔，该方法包括：在第一钝化层上涂布色阻材料；固化色阻材料，形成色阻薄膜；对色阻薄膜进行曝光显影，形成设有第二通孔的色阻层；对曝光及显影后的色阻层进行UV光照射，以使色阻层的第二通孔侧壁部分与色阻层的其它部分的交联程度相同。通过这种方式，能够提高色阻层的稳定性。

主权项：1.一种阵列基板色阻层的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括依次设置的第一钝化层、色阻层及第二钝化层，其中，所述第一钝化层、所述色阻层及所述第二钝化层分别形成有第一通孔、第二通孔及第三通孔，所述制备方法包括：在所述第一钝化层上涂布色阻材料；固化所述色阻材料，形成色阻薄膜；对所述色阻薄膜进行曝光及显影，以形成设有所述第二通孔的色阻层，其中，所述色阻层的第二通孔侧壁部分的曝光强度小于所述色阻层其它部分的曝光强度；对曝光及显影后的所述色阻层进行UV光照射，以使所述色阻层的第二通孔侧壁部分与所述色阻层的其它部分的交联程度相同。

全文数据：一种阵列基板色阻层的制备方法、阵列基板及显不面板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板色阻层的制备方法、阵列基板及显示面板。背景技术[0002]COAColorFilteronArray基板所米用的技术是一种将彩色滤光片集成在阵列基板上的技术。相比传统的彩色滤光片与薄膜晶体管基板对组技术，C0A技术提供了一种降低显示面板制备过程中对盒制程的难度的设计思路。[0003]本发明的发明人在长期的研发中发现，在目前现有技术中，为实现将彩色滤光片集成在阵列基板上，一般是将色阻层制作于薄膜晶体管层上，该色阻层位于绝缘层之间，但由于对色阻层进行曝光显影形成过孔时，对过孔侧壁位置的曝光量较弱，该位置的色阻铰链不充分，化学性能不稳定，严重影响阵列基板的后续制程及阵列基板的质量。发明内容[0004]本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板色阻层的制备方法、阵列基板及显示面板，以提高色阻层的稳定性，提高阵列基板及显示面板的质量。[0005]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板色阻层的制备方法。所述阵列基板包括依次设置的第一钝化层、色阻层及第二钝化层，其中，所述第一钝化层、所述色阻层及所述第二钝化层分别形成有第一通孔、第二通孔及第三通孔，所述制备方法包括:在所述第一钝化层上涂布色阻材料；固化所述色阻材料，形成色阻薄膜；对所述色阻薄膜进行曝光及显影，以形成设有所述第二通孔的色阻层，其中，所述色阻层的第二通孔侧壁部分的曝光强度小于所述色阻层其它部分的曝光强度;对曝光及显影后的所述色阻层进行UV光照射，以使所述色阻层的第二通孔侧壁部分与所述色阻层的其它部分的铰链程度相同。[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板。所述阵列基板包括依次设置的薄膜晶体管层、第一钝化层、所述色阻层、所述第二钝化层及透明电极层，其中，所述第一钝化层、色阻层及第二钝化层分别形成有第一通孔、第二通孔及第三通孔，所述透明电极层依次通过所述第三通孔、所述第二通孔及所述第一通孔与所述薄膜晶体管层连接，其中，所述色阻层进行UV光照射，以使所述色阻层的第二通孔侧壁部分与所述色阻层的其它部分的铰链程度相同。[0007]为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是:提供一种显示面板。所述显示面板包括上述阵列基板。[0008]本发明实施例的有益效果是：区别于现有技术，本发明实施例阵列基板包括依次设置的第一钝化层、色阻层及第二钝化层，其中，第一钝化层、色阻层及第二钝化层分别形成有第一通孔、第二通孔及第三通孔，本发明实施例阵列基板色阻层的制备方法先在第一钝化层上涂布色阻材料，并固化色阻材料，形成色阻薄膜;然后对色阻薄膜进行曝光及显影，以形成设有第二通孔的色阻层，其中，色阻层的第二通孔侧壁部分的曝光强度小于色阻层其它部分的曝光强度;最后对曝光及显影后的色阻层进行UV光照射，以使色阻层的第二通孔侧壁部分与色阻层的其它部分的铰链程度相同。在对色阻层进行曝光及显影时，因光罩的透光部分与遮光部分交界处光散射或衍射等光学现象，导致色阻层的第二通孔侧壁部分曝光量较弱，从而导致铰链不充分，本发明实施例通过对曝光显影后的色阻层进行UV光照射，能够使色阻层的第二通孔侧壁部分铰链充分，从而能够提高色阻层的稳定性，提高阵列基板及显示面板的质量。附图说明[0009]图1是本发明阵列基板一实施例的结构示意图；[0010]图2是本发明阵列基板中色阻层一结构示意图；[0011]图3是本发明阵列基板色阻层的制备方法一实施例的流程示意图；[0012]图4A是本发明的对色阻薄膜层曝光的光罩及曝光显影后色阻层的结构示意图；[0013]图4B是图4A实施例中色阻层进行UV光照射之后的结构示意图；[0014]图5A是本发明的光罩另一实施例的结构示意图；[0015]图5B是利用图5A实施例进行曝光显影后色阻层的结构示意图；[0016]图5C是图5B实施例中色阻层进行UV光照射之后的结构示意图；[0017]图6是本发明阵列基板色阻层制备工艺一实施例的流程示意图；[0018]图7是本发明显不面板~'实施例的结构不意图。具体实施方式[0019]在传统的显示面板的制程中，阵列基板与彩色滤光片分别设置，通过对盒制程将阵列基板与彩色滤光片贴合，但对盒制程容易产生漏光。通过将色阻层设置在阵列基板上，改善上述漏光问题。[0020]请参阅图1，图1是本发明阵列基板一实施例的结构示意图，本实施例阵列基板101包括依次设置的第一钝化层1〇2、色阻层103及第二钝化层104,其中，第一钝化层102、色阻层1〇3及第二钝化层104上分别形成有第一通孔（图未标）、第二通孔（图未标及第三通孔图未标）。当然，本实施例阵列基板101还包括薄膜晶体管层105及透明电极层106。薄膜晶体管层105依次通过第三通孔、第二通孔及第以通孔与透明电极106连接，以控制透明电极106工作。[0021]色阻层103是构成阵列基板101的像素单元的重要组成部分，色阻层中的色阻与像素单元对应设置。色阻可以将从背光模组图未示）中透射出的背光转换成与色阻颜色对应的光，各种颜色的光合成之后使得阵列基板101显示彩色图片。[0022]从上述可知，为实现薄膜晶体管层105与透明电极层106的连接，需要在色阻层1〇3上形成第二通孔，但在对色阻层103进行曝光显影形成第二通孔时，对第二通孔侧壁位置的曝光量会因光衍射及散射等光学现象较弱，导致该位置的色阻铰链不充分，化学性能不稳定，会有气泡2〇1产生，如图2所示，气泡2〇1不易去除，会在后续的制程甚至是成品后慢慢析出，会严重影响阵列基板101的质量。其中，铰链是在曝光过程中，涂布在色阻层103上的光阻材料在光的作用下，其树脂部分发生化学反应的过程，该反应能够将色阻层103中的颜料锁住，以使后续对色阻层进行显影时，显影液不会与该光阻材料反应，以保留被锁住的颜料。对光阻材料曝光强度的大小会直接影响色阻层103的铰链程度。[0023]针对上述问题，本发明提出了一种阵列基板色阻层的制备方法。请参阅图3,图3是本发明阵列基板色阻层的制备方法一实施例的流程示意图。本实施例的制备方法具体包括以下步骤：'[0024]S301:在第一钝化层102上涂布色阻材料。[0025]其中，色阻材料至少包括红色色阻材料、绿色色阻材料及蓝色色阻材料。当然，可以根据像素单元设计需求增加其他颜色色阻材料，或利用其它颜色色阻材料部分或全部替换上述色阻材料，其它颜色色阻材料可以是黄色色阻材料等。[0026]当然，在其它实施例中，还可以在第一钝化层102上先设置一透明基板（图未示），然后在该透明基板上涂布上述色阻材料，该透明基板的材料一般选择薄玻璃片或塑料等。[0027]S302:固化色阻材料，形成色阻薄膜。[0028]本实施例制备方法不限定色阻薄膜的厚度，该厚度可以是微米级，如1.3微米等。[0029]S303:对色阻薄膜进行曝光及显影，以形成设有第二通孔的色阻层1〇3,其中，色阻层103的第二通孔侧壁部分405的曝光强度小于色阻层其它部分404的曝光强度。[0030]具体地，如图4A所示，图4A是本发明的对色阻薄膜层曝光的光罩及曝光显影后色阻层的结构示意图。本实施例的光罩401包括透光部分402及遮光部分403,在对色阻薄膜层进行曝光之前在色阻薄膜成上涂布一层负性光阻材料，并将光罩401的遮光部分403对准色阻薄膜上需要形成第二通孔图未标）的位置，将光罩401的透光部分402对准色阻薄膜层的其它部分，然后可以通过紫外光线UltravioletRays，UV对色阻薄膜层进行曝光。当然，在其它实施例中，若采用在色阻薄膜成上涂布一层正性光阻材料，并将光罩401的透光部分402对准色阻薄膜上需要形成第二通孔的位置，将光罩401的遮光部分403对准色阻薄膜层的其它部分，当然，在其它实施例中还可以采用其它波长的光替代UV光。[0031]色阻层103中的色阻与像素单元对应，一般像素单元对应有依次排列的多种颜色的色阻，可通过多次重复上述色阻层103的制备方法依次制作多种颜色色阻，形成相应的色阻层103。[0032]S304:对曝光及显影后的色阻层103进行UV光照射，以使色阻层103的第二通孔侧壁405部分与色阻层103的其它部分404的较链程度相同。[0033]如图4B所示，通过对对曝光及显影后的色阻层103再次进行UV光照射，能使色阻层103的第二通孔侧壁405部分与色阻层103的其它部分404的较链程度相同，能够使得色阻层103的第二通孔侧壁405部分铰链充分，提高色阻层103的稳定性。[0034]请一并参阅图图5A-5C，图5A是本发明的光罩另一实施例的结构示意图；图5B是利用图5A实施例进行曝光显影后色阻层的结构示意图；图5C是图5B实施例中色阻层进行UV光照射之后的结构示意图。从图5A-5C中可以看出，通过本实施例阵列基板色组层的制备方法能够明显提高色组层103的稳定性，消除色阻层103形成的气泡。[0035]当然，在其它实施中，可以只对色阻层103的第二通孔侧壁部分405进行UV光照射。[0036]区别于现有技术，本实施例阵列基板色组层对曝光及显影后的色阻层103进行UV光照射，以使色阻层103的第二通孔侧壁405部分与色阻层103的其它部分404的铰链程度相同，能够使色阻层103的第二通孔侧壁部分405铰链充分，从而能够提高色阻层103的稳定性，提高阵列基板101的质量。[0037]如图6所示，图6是本发明阵列基板色阻层制备工艺一实施例的流程示意图，本实施例的制备工艺流程至少包括:曝光601、显影602、更换清洗603、最后清洗604千燥605及UV光照606,对显影后的色阻层进行UV光照射，能够提高色阻层的稳定性，提高阵列基板的质量。[0038]可选地，本实施例制备方法采用的UV光的波长范围为l72nm-650nm，该波长范围内的UV光，能够使得未充分铰链的色阻发生铰链，又不至于因UV光的能量过高而导致已铰链的色阻化学结构破坏。当然，可以根据色阻材料，适当调整该波长范围。[0039]可选地，本实施例的第一钝化层102的第一通孔的尺寸及第二钝化层104的第三通孔的尺寸均大于色阻层103的第二通孔的尺寸，以避免色阻层103中的颜料、离子、树脂等溢出，污染阵列基板101的其它结构或后续工艺，从而能够进一步提高阵列基板101的质量。其中，第一通孔、第二通孔及第三通孔可以是微米级尺寸，具体不做限定。[0040]本实施例阵列基板色阻层的制备方法可以应用于C0A、背景技术彩膜阵列集成技术BlackMatrixONArray，B0A等产品的制备中。[0041]本发明提出一种阵列基板，如图1所示，本实施例阵列基板101包括依次设置的薄膜晶体管层1〇5、第一钝化层102、色阻层103、第二钝化层104及透明电极层106,其中，第一钝化层102、色阻层103及第二钝化层104分别形成有第一通孔、第二通孔及第三通孔，透明电极层106依次通过第三通孔、第二通孔及第一通孔与薄膜晶体管层105连接，其中，色阻层103进行UV光照射，以使色阻层103的第二通孔侧壁部分与色阻层103的其它部分的铰链程度相同。[0042]为实现薄膜晶体管层105与透明电极层106的连接，需要在色阻层103上形成第二通孔，但在对色阻层103进行曝光显影形成第二通孔时，对第二通孔侧壁位置的曝光量会因光衍射及散射等光学现象较弱，导致该位置的色阻铰链不充分，化学性能不稳定，会有气泡产生，会在后续的制程甚至是成品后，慢慢析出，会严重影响阵列基板101的质量。本实施例通过对曝光显影后的色阻层103进行UV光照射，以使色阻层103的第二通孔侧壁部分与色阻层103的其它部分的铰链程度相同，使得第二通孔侧壁化学性质稳定，改善产生气泡的问题。[0043]其中，本实施例阵列基板101的第一钝化层102及第二钝化层104用于将色阻层103与其它的部分隔离，以改善色阻层103与其它部分间的相互影响，如被氧化等。[0044]本实施例阵列基板101的第一钝化层102及第二钝化层104的材料可以是氮化硅等，透明电极106的材料为氧化铟锡等材料。[0045]具体地，本实施例阵列基板101的薄膜晶体管层105包括依次设置的下基板107、栅极层108、栅极绝缘层109及源漏极层110,透明电极层106依次通过第三通孔、第二通孔及第一通孔与源漏极层110的漏极111连接。当然，在其它实施例中，薄膜晶体管层105还可以是其它结构，例如顶栅结构等。[0046]本实施例制备方法采用的UV光的波长范围为172nm-650nm，该波长范围内的UV光，能够使得未充分铰链的色阻发生铰链，又不至于因UV光的能量过高导致己铰链的色阻化学结构破坏。当然，可以根据色阻材料，适当调整该波长范围。[0047]可选地，本实施例的第一钝化层102的第一通孔的尺寸及第二钝化层104的第三通孔的尺寸均大于色阻层103的第二通孔的尺寸，以避免色阻层1〇3中的颜料、离子、树脂等溢出，污染阵列基板101的其它结构或后续工艺，从而能够提高阵列基板101的质量。其中，第一通孔、第二通孔及第三通孔可以是微米级尺寸，具体不做限定。[0048]本实施例的色阻层103包括依次排列的多种颜色的色阻。至少包括红色色阻、绿色色阻及蓝色色阻。当然，还可以包括其它颜色色阻或利用其它颜色色阻部分或全部替换上述色阻，其它颜色色阻可以是黄色色阻、白色色阻等。[0049]在其它实施例中，为减少上述各色阻间的漏光，可以在第一钝化层102与色阻层103间设置黑色矩阵层（图未示）。当然，黑色矩阵层还可以设置在色阻层1〇3与第二钝化层104之间，或阵列基板101的其它位置，具体不做限定。[0050]本发明还提出一种显示面板，如图7所示，本实施例显示面板701包括阵列基板7〇2及上基板7〇3。其中，阵列基板7〇2为上述实施例中的阵列基板，其结构及工作原理这里不赘述。[0051]区别于现有技术，本实施例显示面板7〇1的色阻层的稳定性，能够提高显示面板701的质量。[0052]以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

权利要求：1.一种阵列基板色阻层的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括依次设置的第一钝化层、色阻层及第二钝化层，其中，所述第一钝化层、所述色阻层及所述第二钝化层分别形成有第一通孔、第二通孔及第三通孔，所述制备方法包括：在所述第一钝化层上涂布色阻材料；固化所述色阻材料，形成色阻薄膜；对所述色阻薄膜进行曝光及显影，以形成设有所述第二通孔的色阻层，其中，所述色阻层的第二通孔侧壁部分的曝光强度小于所述色阻层其它部分的曝光强度；对曝光及显影后的所述色阻层进行UV光照射，以使所述色阻层的第二通孔侧壁部分与所述色阻层的其它部分的铰链程度相同。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述UV光的波长范围为172rim-65〇nm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一通孔的尺寸及所述第三通孔的尺寸均大于所述第二通孔的尺寸。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述色阻材料至少包括红色色阻材料、绿色色阻材料及蓝色色阻材料。5.—种阵列基板，其特征在于，包括依次设置的薄膜晶体管层、第一钝化层、色阻层、第二钝化层及透明电极层，其中，所述第一钝化层、所述色阻层及所述第二钝化层分别形成有第一通孔、第二通孔及第三通孔，所述透明电极层依次通过所述第三通孔、所述第二通孔及所述第一通孔与所述薄膜晶体管层连接，其中，所述色阻层进行UV光照射，以使所述色阻层的第二通孔侧壁部分与所述色阻层的其它部分的铰链程度相同。6.根据权利要求5所述的阵列基板，所述UV光的波长范围为172mn-650nm。7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一通孔的尺寸及所述第三通孔的尺寸均大于所述第二通孔的尺寸。8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括依次设置的下基板、栅极层、栅极绝缘层及源漏极层，所述透明电极层依次通过所述第三通孔、所述第二通孔及所述第一通孔与所述源漏极层的漏极连接。9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻材料至少包括红色色阻材料、绿色色阻材料及蓝色色阻材料。10.—种显示面板，所述显示面板包括权利要求5至9任一项所述的阵列基板。

百度查询： 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板色阻层的制备方法、阵列基板及显示面板

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