申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2018-05-08

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN108871592B

主分类号：G01J5/12(20060101)

分类号：G01J5/12(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.03#授权;2018.12.18#实质审查的生效;2018.11.23#公开

摘要：本发明公开了一种低压电及温度干扰的柔性热释电红外热像仪像素阵列，涉及红外热像仪领域，包括位于上层用于探测成像的上层柔性热释电聚合物薄膜和位于下层用于补偿的下层柔性热释电聚合物薄膜，以及位于底层的底层支撑层；所述上层柔性热释电聚合物薄膜上表面设置有像素电极阵列，下表面设置有与上表面的像素电极阵列完全相同的像素电极阵列；所述下层柔性热释电聚合物薄膜上表面设置有与上层柔性热释电聚合物薄膜上表面设置的像素电极阵列完全相同的像素电极阵列，下表面设置有与上表面设置的完全相同的像素电极阵列，本发明解决了现有柔性热释电红外热像仪由于环境振动和温度波动导致红外热像仪成像质量降低的问题。

主权项：1.一种低压电及温度干扰的柔性热释电红外热像仪像素阵列，其特征在于：包括位于上层用于探测成像的上层柔性热释电聚合物薄膜2和位于下层用于补偿的下层柔性热释电聚合物薄膜6，以及位于底层的底层支撑层9，所述上层柔性热释电聚合物薄膜2和下层柔性热释电聚合物薄膜6之间连接设置有高度大于等于50μm，小于等于100μm的绝热隔离柱4；所述上层柔性热释电聚合物薄膜2上表面设置有像素电极阵列1，下表面设置有与设置在上表面的像素电极阵列1完全相同的像素电极阵列3；所述下层柔性热释电聚合物薄膜6上表面设置有与设置在上层柔性热释电聚合物薄膜2上表面的像素电极阵列1完全相同的像素电极阵列5，下表面设置有与设置在上层柔性热释电聚合物薄膜2上表面的像素电极阵列1完全相同的像素电极阵列7。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种低压电及温度干扰的柔性热释电红外热像仪像素阵列

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