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【实用新型】高散热的高压IGBT单管_深圳市质超微电子有限公司_201922500505.5 

申请/专利权人:深圳市质超微电子有限公司

申请日:2019-12-31

公开(公告)日:2020-07-03

公开(公告)号:CN210925991U

主分类号:H01L23/367(20060101)

分类号:H01L23/367(20060101);H01L23/373(20060101);H01L23/40(20060101);H01L29/739(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.07.03#授权

摘要:本实用新型公开了一种高散热的高压IGBT单管,包括:IGBT单管本体,所述IGBT单管本体的正面和背面均设有散热压片,所述IGBT单管本体上罩设有绝缘罩,所述绝缘罩将所述散热压片紧紧抵压在所述IGBT单管本体的正面和背面。本实用新型的有益效果在于:整体结构简单,安装方便,绝缘性能好,安装和拆卸散热压片及绝缘罩时不用破坏IGBT单管本体。

主权项:1.一种高散热的高压IGBT单管,其特征在于,包括:IGBT单管本体,所述IGBT单管本体的正面和背面均设有散热压片,所述IGBT单管本体上罩设有绝缘罩,所述绝缘罩将所述散热压片紧紧抵压在所述IGBT单管本体的正面和背面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市质超微电子有限公司 高散热的高压IGBT单管

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