申请/专利权人：清华大学

申请日：2019-09-19

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN210926024U

主分类号：H01L29/74(20060101)

分类号：H01L29/74(20060101);H01L21/332(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.03#授权

摘要：本实用新型公开了一种平面结构的GCT芯片，包括引出阳极的P+发射极、与P+发射极贴合的n+缓冲层、与n+缓冲层相贴合的n漂移区，GCT芯片结构还包括：第一P+区域、第二P+区域及n+发射极，第一P+区域与n漂移区相贴合；第二P+区域与第一P+区域相贴合；n+发射极与第二P+区域连接，n+发射极引出阴极，第二P+区域引出门极，阴极与门极具有高度差，高度差的范围为0‑10μm。

主权项：1.一种平面结构的GCT芯片，包括引出阳极的P+发射极、与所述P+发射极贴合的n+缓冲层、与所述n+缓冲层相贴合的n漂移区，其特征在于，所述GCT芯片结构还包括：第一P+区域，与所述n漂移区相贴合；第二P+区域，与所述第一P+区域相贴合；以及n+发射极，与所述第二P+区域连接，所述n+发射极引出阴极，所述第二P+区域引出门极，所述阴极与所述门极具有高度差，所述高度差的范围为0-10μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 平面结构的GCT芯片

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