申请/专利权人：德国艾托特克公司

申请日：2014-09-05

公开（公告）日：2020-07-10

公开（公告）号：CN105579615B

主分类号：C23C18/24(20060101)

分类号：C23C18/24(20060101);C23C18/54(20060101);H05K3/00(20060101);C23G1/10(20060101)

优先权：["20130925 EP 13185890.4"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.10#授权;2016.08.31#实质审查的生效;2016.05.11#公开

摘要：本发明涉及一种在制造印刷电路板、IC衬底及其类似物期间，用以从介电材料中凹陷结构去除孔污的处理方法。使所述介电材料接触水溶液，所述水溶液包括60wt％到80wt％硫酸、0.04moll到0.66moll过氧二硫酸根离子和选自醇类、分子醚以及聚醚的至少一种稳定添加物。通过本发明的方法从所述凹陷结构去除孔污，而不会使处理化学物质渗入所述介电材料中，且实现足够低的铜蚀刻速率。此外，所述水溶液的保存期甚至在铜离子存在时也得到改善。

主权项：1.一种用以从介电材料中凹陷结构去除孔污的处理方法，所述方法依序包括以下步骤i提供包括至少一个凹陷结构的介电材料，所述至少一个凹陷结构含有在制造所述凹陷结构期间所形成的所述介电材料的残余物，以及ii使所述介电材料接触水溶液，所述水溶液包括60wt％到80wt％硫酸和0.04moll到0.66moll过氧二硫酸根离子，且由此从所述介电材料去除介电材料的所述残余物，其中所述水溶液进一步包括选自由醇类、分子醚以及聚醚组成的群组的至少一种稳定剂添加物，其中在步骤ii中的所述水溶液不含过锰酸根离子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德国艾托特克公司 用以从介电材料中凹陷结构去除孔污的处理方法

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