申请/专利权人：王晓靁

申请日：2020-01-03

公开（公告）日：2020-07-10

公开（公告）号：CN210984756U

主分类号：H01L33/32(20100101)

分类号：H01L33/32(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.10#授权

摘要：本实用新型公开了具有2D材料中介层的外延基板，在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层上借助范德华外延生长AlGaN或单晶GaN外延层。本实用新型提供可行技术满足在多晶基底上进行单晶层外延，可以制作大尺寸6吋及6吋以上基底且制作成本远低于相关单晶芯片，同时解决现有UVCLED和GaN系镭射二极管外延基板问题并能显着降低工序成本，有效提升AlGaN宽能隙光电及电子组件以及GaN系镭射二极管的组件效能。

主权项：1.具有2D材料中介层的外延基板，其特征在于：在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层上借助范德华外延生长AlGaN或单晶GaN外延层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 王晓靁 具有2D材料中介层的外延基板

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD