申请/专利权人：西默有限公司

申请日：2018-09-26

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN111433674A

主分类号：G03F7/00(20060101)

分类号：G03F7/00(20060101);G03F7/20(20060101)

优先权：["20171019 US 62/574,628"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.09#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：在单次曝光通过过程期间，使光束中的光脉冲的集合朝向晶片穿过掩模；在单次曝光通过过程期间，基于脉冲的集合中的穿过掩模的光脉冲来在晶片上生成至少第一空间图像和第二空间图像，第一空间图像在晶片上的第一平面处并且第二空间图像在晶片上的第二平面处，第一平面和第二平面在空间上彼此不同并且沿着传播方向以分离距离彼此分离；以及形成三维半导体组件。

主权项：1.一种使用光刻系统形成三维半导体组件的方法，所述方法包括：沿着传播方向朝向掩模引导脉冲光束，所述脉冲光束包括多个光脉冲；在单次曝光通过过程期间使所述光束中的光脉冲的集合朝向晶片穿过所述掩模；在所述单次曝光通过过程期间，基于所述脉冲的集合中的穿过所述掩模的光脉冲来在所述晶片上生成至少第一空间图像和第二空间图像，所述第一空间图像在所述晶片上的第一平面处并且所述第二空间图像在所述晶片上的第二平面处，所述第一平面和所述第二平面沿着所述传播方向以分离距离彼此分离；以及基于所述第一空间图像中的光与所述晶片的第一部分中的材料之间的相互作用和所述第二空间图像中的光与所述晶片的第二部分中的材料之间的相互作用，来在光刻胶中对所述三维半导体组件进行图案化，其中所述脉冲的集合中的至少一个脉冲具有第一主波长并且所述脉冲的集合中的至少一个其他脉冲具有与所述第一主波长不同的第二主波长，使得脉冲的第一集合的光谱和脉冲的第二集合的光谱在光谱上是不同的并且所述分离距离基于所述第一主波长与所述第二主波长之差。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西默有限公司 在单次光刻曝光通过过程中形成多个空间图像

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD