申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2018-10-30

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN111433752A

主分类号：G06F12/0868(20060101)

分类号：G06F12/0868(20060101);G06F3/06(20060101)

优先权：["20171109 US 15/808,567"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.06#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：在一些实例中揭示系统、方法、NAND存储器装置及用于智能SLC高速缓存迁移过程的机器可读媒体，所述智能SLC高速缓存迁移过程基于一组规则将写入到SLC高速缓存的数据移动到MLC存储装置，所述一组规则是使用所述NAND装置的状态进行评估。在一些实例中，所述SLC高速缓存迁移过程可利用数个NAND操作参数确定何时将写入到SLC高速缓存的所述数据移动到MLC、从SLC移动多少数据到MLC及用于移动所述数据的参数。

主权项：1.一种操作NAND装置的方法，所述方法包括：在NAND控制器处：检索SLC高速缓存迁移配置文件，所述SLC高速缓存迁移配置文件包含用于起始存储于SLC高速缓存中的数据到MLC存储器单元的迁移的第一及第二起始规则，所述第一及第二规则包括以下各者中的一者：空闲规则、数据碎片化规则、当前块擦除计数、当前写入放大因子WAF或功耗水平规则，其中所述第一规则不同于所述第二规则；检索由所述第一规则指定的第一NAND操作条件，且确定所述第一NAND操作条件满足所述第一规则；检索由所述第二规则指定的第二NAND操作条件，且确定所述第二NAND操作条件满足所述第二规则；及响应于满足所述第一及第二规则，将存储于所述SLC高速缓存中的数据的至少一部分迁移到所述NAND装置的MLC存储器单元。

全文数据：

权利要求：

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