【发明公布】测量方法、图案化设备以及设备制造方法_ASML荷兰有限公司_201880078216.6 

申请/专利权人:ASML荷兰有限公司

申请日:2018-11-02

发明/设计人:F·斯塔尔斯;E·J·A·布劳沃;C·C·M·卢杰滕;J-P·A·H·M·瓦森

公开(公告)日:2020-07-17

代理机构:北京市金杜律师事务所

公开(公告)号:CN111433678A

代理人:董莘

主分类号:G03F7/20(20060101)

地址:荷兰维德霍温

分类号:G03F7/20(20060101)

优先权:["20171204 EP 17205144.3","20180403 EP 18165518.4","20180605 EP 18175874.9"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.07.17#公开

摘要:一种聚焦量测目标包括一个或多个周期性阵列的特征TH、TV、T。对光刻装置的聚焦性能的测量至少部分地基于从聚焦量测目标获得的衍射信号。每个周期性阵列的特征包括与第二区域交错的重复布置的第一区域,第一区域和第二区域中的特征密度不同。每个第一区域包括重复布置的第一特征806、906、1106、1108、1206、1208、1210、1406、1408、1506、1508、1510。每个第一特征的最小尺寸接近于但不小于由光刻装置进行的印刷的分辨率极限,以便在给定工艺环境中符合设计规则。高特征密度的区可以进一步包括重复布置的更大特征1420、1520。

主权项:1.一种测量光刻装置的聚焦性能的方法,所述方法包括:a使用所述光刻装置在衬底上印刷至少第一聚焦量测目标,所印刷的聚焦量测目标包括至少第一周期性阵列的特征,b使用检视辐射从所印刷的聚焦量测目标中的所述第一周期性阵列获得一个或多个衍射信号;以及c至少部分地基于在步骤b中获得的所述衍射信号来导出对聚焦性能的测量,其中,所述第一周期性阵列包括至少在第一周期性方向上与第二区域交错的重复布置的第一区域,在所述第一区域和所述第二区域中的特征密度不同,其中,所述第一区域中的每个第一区域包括重复布置的第一特征,每个第一特征的最小尺寸接近于但不小于所述印刷步骤的分辨率极限。

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权利要求:

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