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【发明公布】半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_201910023455.8 

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日:2019-01-10

公开(公告)日:2020-07-17

公开(公告)号:CN111430461A

主分类号:H01L29/78(20060101)

分类号:H01L29/78(20060101);H01L29/40(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.09.12#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要:一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:基底,基底内形成有相邻的阱区和漂移区;栅极结构,位于阱区和漂移区交界处的基底上;源区,位于栅极结构一侧的阱区内;漏区,位于栅极结构另一侧的漂移区内;硅化物阻挡层,位于栅极结构和漏区之间的基底上,硅化物阻挡层还延伸至栅极结构中靠近漏区的侧壁和部分顶壁上;光吸收层,位于硅化物阻挡层上;介电层,位于栅极结构露出的基底上,且介电层覆盖栅极结构以及光吸收层;导电结构,位于介电层内,且导电结构的底端位于光吸收层中或者位于光吸收层上。光吸收层能够吸收光子中的能量,导电结构底部的第一类型电荷吸收能量降低的光子后,不易进入漂移区内,优化了半导体结构的电学性能。

主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:基底,所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区;栅极结构,位于所述阱区和漂移区交界处的基底上;源区,位于所述栅极结构一侧的阱区内;漏区,位于所述栅极结构另一侧的漂移区内;硅化物阻挡层,位于所述栅极结构和所述漏区之间的基底上,所述硅化物阻挡层还延伸至所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁和部分顶壁上;光吸收层,位于所述硅化物阻挡层上;介电层,位于所述栅极结构露出的基底上,且所述介电层还覆盖所述栅极结构以及光吸收层;导电结构,位于所述介电层内,且所述导电结构的底端位于所述光吸收层中或者位于所述光吸收层上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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