申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2020-04-28
公开(公告)日:2020-07-17
公开(公告)号:CN111430229A
主分类号:H01L21/304(20060101)
分类号:H01L21/304(20060101);H01L21/78(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.12.01#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开
摘要:本发明实施例提供了一种切割方法,提供晶圆;通过半导体工艺在所述晶圆上形成了多个芯片,且在所述晶圆上设置有多个间隙区域;芯片之间通过间隙区域隔开;所述间隙区域之间存在重叠区域;在所述多个间隙区域进行切割,形成多个槽道;减薄所述晶圆至显露所述槽道,以分离所述多个芯片区域及第一区域;所述第一区域位于所述重叠区域中,如此,能够改善切割后得到的分离的芯片的角落处破损的现象。
主权项:1.一种切割方法,其特征在于,所述方法包括:提供晶圆;通过半导体工艺在所述晶圆上形成了多个芯片,且在所述晶圆上设置有多个间隙区域;芯片之间通过间隙区域隔开;所述间隙区域之间存在重叠区域;在所述多个间隙区域进行切割,形成多个槽道;减薄所述晶圆至显露所述槽道,以分离所述多个芯片及第一区域;所述第一区域位于所述重叠区域中。
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权利要求:
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