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【发明公布】多线切割装置及多线切割方法_西安奕斯伟硅片技术有限公司_202010386684.9 

申请/专利权人:西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日:2020-05-09

公开(公告)日:2020-07-17

公开(公告)号:CN111421688A

主分类号:B28D5/04(20060101)

分类号:B28D5/04(20060101);B28D7/00(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2022.12.02#发明专利申请公布后的驳回;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要:本发明涉及一种多线切割方法,包括:移动晶棒或者切割线使得晶棒与切割线接触,此时晶棒位于第一位置;对所述切割线的切割区域喷洒具有第一粒径的磨粒的磨料;所述切割线以第一预设速度往复运动、以对晶棒进行切割;在晶棒上形成具有预设深度的切割槽后,停止切割;移动晶棒或者切割线,使得晶棒回复至所述第一位置;对所述切割线的切割区域喷洒具有第二粒径的磨粒的磨料,其中,所述第二粒径大于所述第一粒径;所述切割线以第二预设速度往复运动、以沿着所述切割槽对晶棒进行切割;对所述切割线喷洒具有第二粒径的磨粒的磨料,以取出切割后得到的硅片。本发明还涉及一种多线切割装置。

主权项:1.一种多线切割方法,通过多个切割线对晶棒进行切割,其特征在于,包括:移动晶棒或者切割线使得晶棒与切割线接触,此时晶棒位于第一位置;对所述切割线的切割区域喷洒具有第一粒径的磨粒的磨料;控制所述切割线以第一预设速度往复运动、以对晶棒进行切割;在晶棒上形成具有预设深度的切割槽后,停止切割;移动晶棒,使得晶棒回复至所述第一位置;对所述切割线的切割区域喷洒具有第二粒径的磨粒的磨料,其中,所述第二粒径大于所述第一粒径;控制所述切割线以第二预设速度往复运动、以沿着所述切割槽对晶棒进行切割;对所述切割线喷洒具有第二粒径的磨粒的磨料,增大切割后得到的硅片与所述切割线之间的间隙;移动切割后得到的硅片、以取出硅片。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安奕斯伟硅片技术有限公司 多线切割装置及多线切割方法

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