申请/专利权人：广东工业大学

申请日：2020-05-12

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN111431491A

主分类号：H03F3/45(20060101)

分类号：H03F3/45(20060101);H03F1/42(20060101);H03F1/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.05#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：本申请公开了一种运算跨导放大器，利用现有单对PMOS型FVF结构电流镜OTA的静态功耗较低的特性，在现有的单对PMOS型FVF结构电流镜OTA的基础上，通过增加一对NMOS型FVF结构作为差分中间级，并对电流镜结构进行了适应性的修改，使得两对MOS型FVF结构形成了互补型结构，分别实现了自适应偏置差分输入级和自适应偏置差分中间级。因此在静态功耗不变的情况下，两对互补型的MOS型FVF结构的电流镜OTA结构，使得当小信号输入时提高了OTA的等效跨导，从而提高了增益和带宽，当大信号输入时增大了最大输出电流，从而提高了摆率。进而解决了现有运算跨导放大器，在低压低功耗的条件下，无法实现能够同时满足高增益、宽带宽和大摆率的技术问题。

主权项：1.一种运算跨导放大器，其特征在于，包括：第一差分对管、第二差分对管、第一MOS型FVF结构、第二MOS型FVF结构、第一电路和第二电路；所述第一电路和第二电路均用于双端转单端；所述第一差分对管由MOS管M5和MOS管M6组成，所述MOS管M5和所述MOS管M6分别连接于所述第二差分对管的两个输出端；所述第一MOS型FVF结构包括：MOS管M19、MOS管M20、MOS管M21、MOS管M22、电流源Ibn1和电流源Ibn2；所述电流源Ibn1与所述MOS管M19的漏极相连，所述MOS管M19的源极与所述MOS管M21的漏极相连，所述MOS管M21的栅极与所述MOS管M19的漏极相连，所述MOS管M21的源极接地；所述电流源Ibn2与所述MOS管M20的漏极相连，所述MOS管M20的源极与所述MOS管M22的漏极相连，所述MOS管M22的栅极与所述MOS管M20的漏极相连，所述MOS管M22的源极接地；所述MOS管M20的源极和MOS管M22的漏极与所述MOS管M5的源极相连，所述MOS管M19的源极和MOS管M21的漏极与所述MOS管M6的源极相连；所述MOS管M19的栅极与所述MOS管M5的栅极相连，所述MOS管M20的栅极与所述MOS管M6的栅极相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东工业大学 一种运算跨导放大器

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