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【发明公布】热蒸发源炉_中国科学院半导体研究所_202010438901.4 

申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

申请日:2020-05-21

公开(公告)日:2020-07-17

公开(公告)号:CN111424241A

主分类号:C23C14/26(20060101)

分类号:C23C14/26(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要:本公开提供了一种热蒸发源炉,包括:整体式全包围热屏蔽筒、坩埚、加热装置、加热装置底板和温度测量装置,整体式全包围热屏蔽筒底部与源炉法兰的上法兰面相连;整体式全包围热屏蔽筒顶部与坩埚密封相连;加热装置、加热装置底板和温度测量装置均设置于整体式全包围热屏蔽筒内,加热装置对所述坩埚进行加热;温度测量装置对坩埚底部温度进行测量。本公开能够提供稳定的原子束和分子束流,并且能够避免从坩埚逸出的液态源和从生长设备内壁脱落的材料残渣等会掉落至热电偶电极或加热器电极处导致的热电偶或加热器短路,使得工作可靠性大幅提高。

主权项:1.一种热蒸发源炉,其中,包括:分段式全包围热屏蔽筒,所述分段式全包围热屏蔽筒底部与源炉法兰的上法兰面相连;所述分段式全包围热屏蔽筒包括:下分热屏蔽筒,所述下分热屏蔽筒底部与源炉法兰的上法兰面相连;上分热屏蔽筒,所述上分热屏蔽筒底部与所述下分热屏蔽筒顶部相连;加热装置底板,设置于所述上分热屏蔽筒和所述下分热屏蔽筒相连处;坩埚,与所述分段式全包围热屏蔽筒顶部密封相连;加热装置,设置在所述分段式全包围热屏蔽筒内,对所述坩埚进行加热;加热装置底部屏蔽板,设置于所述分段式全包围热屏蔽筒内并位于加热装置底板上部,用于屏蔽加热装置工作时向下辐射的热量;温度测量装置,设置在所述分段式全包围热屏蔽筒内,用于对坩埚底部温度进行测量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院半导体研究所 热蒸发源炉

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