申请/专利权人：紫创(南京)科技有限公司

申请日：2020-04-07

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN111430258A

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101);G01R31/12(20060101);G01R31/26(20140101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：一种半导体检测装置及其检测方法，半导体检测装置包括：晶圆承载装置；电晕放电系统，用于对待检测晶圆表面进行电晕喷电；电荷检测系统，用于检测待检测晶圆表面沉积的正离子或负离子的电荷量；入射光系统，用于向待检测晶圆发射第一入射光，第一入射光经待检测晶圆的反射形成第一反射光；光学信号分拣系统，用于自第一反射光中分拣出非线性光学信号；控制系统，用于获取待检测晶圆的第一缺陷信息。采用电晕放电系统在待检测晶圆表面沉积电荷，对材料内电场实现可控的非接触式调制，从而更全面地测量材料电学属性，特别是对内电场或者能带弯曲敏感的属性。在某些特定条件，通过这种非接触式的外加电场调制，还可以增强表征材料属性的信号强度。

主权项：1.一种半导体检测装置，其特征在于，包括：晶圆承载装置，用于承载待检测晶圆；电晕放电系统，用于对所述待检测晶圆表面进行电晕喷电；电荷检测系统，用于检测所述待检测晶圆表面沉积的正离子或者负离子的电荷量；入射光系统，用于向所述待检测晶圆发射第一入射光，所述第一入射光经待检测晶圆的反射形成第一反射光；光学信号分拣系统，用于自所述第一反射光中分拣出非线性光学信号；控制系统，用于根据所述非线性光学信号获取所述待检测晶圆的第一缺陷信息。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 紫创(南京)科技有限公司 半导体检测装置及其检测方法

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