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【发明公布】AR显示中光波导显示模组的耦合入射光栅母版制备方法_苏州康启环境科技有限公司_202010331098.4 

申请/专利权人:苏州康启环境科技有限公司

申请日:2020-04-23

公开(公告)日:2020-07-17

公开(公告)号:CN111427109A

主分类号:G02B5/18(20060101)

分类号:G02B5/18(20060101);G02B6/124(20060101);G02B6/136(20060101);G02B27/01(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2023.03.07#发明专利申请公布后的驳回;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要:本发明公开了一种AR显示中光波导显示模组的耦合入射光栅母版制备方法,包括如下步骤:S1、将斜切110单晶硅作为基底;S2、在基底的斜切面上镀氮化硅层;S3、在氮化硅层上旋涂正性光刻胶;S4、通过紫外光刻及显影获得光刻胶光栅掩模;S5、刻蚀暴露出来的氮化硅;S6、去除氮化硅层上的光刻胶光栅掩模,获得氮化硅光栅;S7、以氮化硅作为掩蔽层,在氢氧化钾溶液中进行腐蚀,得到平行四边形斜槽微结构;S8、放置于HF酸中去除残余氮化硅光栅掩模,获得平行四边形斜槽硅光栅。采用单晶硅各向异性腐蚀技术制备的耦合入射光栅母版工作面111晶面平整光滑,减少母版制备成本的同时,降低对设备的依赖。

主权项:1.一种AR显示中光波导显示模组的耦合入射光栅母版制备方法,其特征在于,所述方法具体包括如下步骤:S1、将斜切110单晶硅作为基底;S2、在基底的斜切面上镀一层氮化硅层;S3、在氮化硅层上旋涂正性光刻胶;S4、在紫外光刻机下透过光栅掩模版进行曝光,在显影液使曝光的光刻胶显影,获得光刻胶光栅掩模;S5、利用等离子体刻蚀机刻蚀暴露出来的氮化硅;S6、等离子体刻蚀完毕后,放置于显影液中,去除氮化硅层上的光刻胶光栅掩模,获得氮化硅光栅;S7、以氮化硅作为掩蔽层,在氢氧化钾溶液中进行腐蚀,得到平行四边形斜槽微结构;S8、放置于HF酸中去除残余氮化硅光栅掩模,获得平行四边形斜槽硅光栅,即为耦合入射光栅。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州康启环境科技有限公司 AR显示中光波导显示模组的耦合入射光栅母版制备方法

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