申请/专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

申请日：2020-04-13

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN111422827A

主分类号：B81C3/00(20060101)

分类号：B81C3/00(20060101);B81C1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：本发明公开了一种MEMS惯性传感器的晶圆制作工艺流程，包括以下步骤：提供具有顶部平面和底部平面的第一基板，所述底部平面下方设置有一氧化物层；提供具有上平坦表面的第二基板；将第二基板的一部分从上平坦表面蚀刻，以形成多个凸起和浅腔，每个凸起具有上平坦表面；将第一基板的顶部平面结合到凸起的上部平坦表面以形成锚固部分；刻蚀掉第一基板的一定位置的氧化物层；从底部表面和或顶部表面蚀刻第一基板的一部分至第一基板的总厚度，以形成具有一定结构可自由旋转的敏感结构。在硅硅键合时不需要进行图标对准，使得键合工艺简单，形成的梁的厚度与质量块相等，不会产生误差，具有更好的结构对称性。

主权项：1.一种MEMS惯性传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：提供具有顶部平面和底部平面的第一基板，所述底部平面下方设置有一氧化物层，所述底部平面基本上平行于顶部平面；S02：提供具有上平坦表面的第二基板；S03：将第二基板的一部分从上平坦表面蚀刻到第一预定深度，以形成多个凸起和浅腔，每个凸起具有上平坦表面；S04：将第一基板的顶部平面结合到凸起的上部平坦表面以形成锚固部分；S05：刻蚀掉第一基板的一定位置的氧化物层；S06：从底部表面和或顶部表面蚀刻第一基板的一部分至第二预定深度，该第二预定深度至少等于第一基板的总厚度，以在第一基板上形成具有一定结构可自由旋转的敏感结构，所述敏感结构包括锚定部分周边一定结构的质量块。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 高性能MEMS惯性传感器的晶圆制作工艺流程

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