申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2018-01-12

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN108377350B

主分类号：H04N5/378(20110101)

分类号：H04N5/378(20110101);H04N5/3745(20110101)

优先权：["20170131 KR 10-2017-0013913"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.17#授权;2018.08.31#实质审查的生效;2018.08.07#公开

摘要：一种电子设备可以包括：斜坡信号发生器，其适用于产生具有与模拟增益相对应的斜率的斜坡信号；以及斜率校正电路，其适用于基于校正码信号来校正斜率。

主权项：1.一种电子设备，包括：斜坡信号发生器，其适用于产生具有与模拟增益相对应的斜率的斜坡信号；以及斜率校正电路，其适用于基于校正码信号来校正斜率，其中，斜坡信号发生器耦接在第一电压端子与第二电压端子之间，以及其中，斜率校正电路耦接到斜坡信号的输出端子并且校正由形成在斜坡信号发生器与第一电压端子之间的寄生电阻改变的斜率，或者斜率校正电路耦接到斜坡信号发生器并且校正由形成在斜坡信号发生器与第二电压端子之间的寄生电阻改变的斜率。

全文数据：电子设备[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2017年1月31日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0013913的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。技术领域[0003]本公开的示例性实施例涉及一种半导体设计技术，更具体而言，涉及一种电子设备。背景技术[0004]电子设备可以包括用于将模拟信号转换为数字信号的模数转换器ADC。[0005]例如，图像感测设备可以包括用于将模拟像素信号转换为数字信号的ADCJDC可以将像素信号与斜坡信号进行比较，并产生与比较结果相对应的数字信号。斜坡信号被用作用于确定像素信号的电压电平的比较信号，并且可以在预定范围内每单位时间不断地调整电压电平。[0006]图像感测设备可以通过调整斜坡信号的斜率来调整模拟增益。模拟增益是与环境照度条件有关的参数。[0007]图像感测设备可以使用半导体的光敏性能来捕获图像。图像感测设备可以被分为电荷耦接设备CCD或互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器。CMOS图像传感器允许在单个集成电路IC上直接实现模拟控制电路和数字控制电路两者，这使其成为最广泛使用的类型的图像传感器。发明内容[0008]各种实施例涉及一种电子设备，其产生具有根据模拟增益来调整的斜率的斜坡信号，其中模拟增益的线性度保持不变。[0009]在一个实施例中，一种电子设备可以包括:斜坡信号发生器，其适用于产生具有与模拟增益相对应的斜率的斜坡信号；以及斜率校正电路，其适用于基于校正码信号来校正斜率。[0010]斜坡信号发生器可以耦接在第一电压端子与第二电压端子之间，以及斜率校正电路可以基于校正码信号来校正由形成在斜坡信号发生器与第一电压端子之间或形成在斜坡信号发生器与第二电压端子之间的寄生电阻改变的斜率。[0011]斜率校正电路可以在寄生电阻具有正值时减小斜率，而在寄生电阻具有负值时增大斜率。[0012]校正码信号可以对应于模拟增益而被预设。[0013]斜坡信号发生器可以基于斜坡码信号和增益码信号而根据模拟增益来调整斜率。[0014]斜坡信号发生器可以通过调整要在斜坡信号的输出端子中反射的电阻值来调整斜率，以及斜率校正电路可以通过在斜坡信号的输出端子中反射预定电阻值来校正斜率。[0015]斜坡信号发生器可以通过调整在产生斜坡信号时所需的偏置信号的电压电平来调整斜率，以及斜率校正电路可以通过在偏置信号的输出端子上产生校正电流来校正斜率。[0016]在一个实施例中，一种电子设备可以包括:斜坡电流发生电路，其适用于在斜坡信号的输出端子上产生与斜坡信号相对应的斜坡电流;斜率调整电路，其适用于根据模拟增益来调整斜坡信号的斜率；以及斜率校正电路，其适用于基于校正码信号来校正斜坡信号的斜率。[0017]斜率调整电路可以耦接在斜坡信号的输出端子与低电压端子之间，以及斜率校正电路可以基于校正码信号来校正由形成在斜率调整电路与低电压端子之间的寄生电阻改变的斜坡信号的斜率。[0018]斜率校正电路可以在寄生电阻具有正值时减小斜率，而在寄生电阻具有负值时增大斜率。[0019]校正码信号对应于模拟增益而被预设。[0020]斜率校正电路可以包括并联耦接在斜坡信号的输出端子与低电压端子之间的多个电阻值反射单元，并且多个电阻值反射单元可以基于校正码信号而在斜坡信号的输出端子中反射与寄生电阻相对应的电阻值。[0021]斜坡电流发生电路可以包括:偏置信号发生单元，其耦接在高电压端子与低电压端子之间，并且被配置为产生与参考电流相对应的偏置信号；以及多个镜像单元，其并联耦接在高电压端子与斜坡信号的输出端子之间，并且被配置为基于偏置信号和斜坡码信号而通过使参考电流镜像来产生斜坡电流。[0022]斜率调整电路可以包括并联耦接在斜坡信号的输出端子与低电压端子之间的多个电阻值反射单元，并且多个电阻值反射单元可以基于增益码信号来在斜坡信号的输出端子中反射与模拟增益相对应的电阻值。[0023]在一个实施例中，一种电子设备可以包括:偏置信号发生电路，其适用于基于增益码信号而产生与模拟增益相对应的偏置信号;斜坡信号发生电路，其适用于产生斜坡信号，并且基于偏置信号来调整斜坡信号的斜率；以及斜率校正电路，其适用于基于校正码信号来校正斜坡信号的斜率。[0024]偏置信号发生电路和斜坡信号发生电路中的每一个可以耦接在高电压端子与低电压端子之间，其中，斜率校正电路可以基于校正码信号来校正由第一寄生电阻和第二寄生电阻中的至少一个改变的斜坡信号的斜率，以及其中，第一寄生电阻可以形成在高电压端子与偏置信号发生电路之间，而第二寄生电阻可以形成在高电压端子与斜坡信号发生电路之间。[0025]斜率校正电路可以在第一寄生电阻和第二寄生电阻中的至少一个具有正值时减小斜率，而在第一寄生电阻和第二寄生电阻中的至少一个具有负值时增大斜率。[0026]校正码信号可以对应于模拟增益而被预设。[0027]斜率校正电路可以包括多个校正电流发生单元，其并联耦接在高电压端子与偏置信号的输出端子之间，以及多个校正电流发生单元可以基于校正码信号而在偏置信号的输出端子上产生与第一寄生电阻和第二寄生电阻中的至少一个相对应的校正电流。[0028]偏置信号发生电路可以包括:参考电流发生单元，其耦接在偏置信号的输出端子与低电压端子之间；以及多个偏置信号发生单元，其并联耦接在高电压端子与偏置信号的输出端子之间，其中，多个偏置信号发生单元基于增益码信号而在偏置信号的输出端子上产生与模拟增益相对应的偏置电流。[0029]斜坡信号发生电路可以包括：固定电阻单元，其耦接在斜坡信号的输出端子与低电压端子之间；以及多个斜坡电流发生单元，其并联耦接在高电压端子与斜坡信号的输出端子之间，以及其中，多个斜坡电流发生单元基于偏置信号和斜坡码信号而在斜坡信号的输出端子上产生斜坡电流，该斜坡电流每单位时间由预定电平来调整。附图说明[0030]图1是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的框图。[0031]图2是示出图1中所示的斜坡信号发生器和斜率校正电路的示图。[0032]图3是示出图2中所示的斜率调整电路、斜率校正电路和寄生电阻的电路图。[0033]图4和图5是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的性能的示例的曲线图。[0034]图6是示出图2中所示的斜率调整电路、斜率校正电路和寄生电阻的电路图。[0035]图7和图8是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的性能的示例的曲线图。[0036]图9是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的框图。[0037]图10是示出图9中所示的斜坡信号发生器和斜率校正电路的示图。具体实施方式[0038]下面将参照附图来更详细地描述各种实施例。然而，本公开可以采用不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。贯穿本公开，在本公开的各个附图和实施例中，相同的附图标记表示相同的部件。[0039]本文所用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而非意在限制本发明的构思。如本文所用，单数形式也意在包括复数形式，除非上下文另有明确指出。还应当理解的是，当术语“包括”、“包括有”、“包含”和或“包含有”在本说明书中使用时，它们表示存在所述特征，但不排除存在或添加一个或更多个其它的特征。如本文所用，术语“和或”表示一个或更多个相关列出项的任意组合和全部组合。[0040]应当理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件和另一个元件。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件也可以被称为第二元件或第三元件。[0041]图1是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的框图。[0042]参考图1，电子设备可以包括斜坡信号发生器100和斜率校正电路200。[0043]斜坡信号发生器100可以基于斜坡码信号RC〈1:A和增益码信号GC〈1:B来产生具有与模拟增益相对应的斜率的斜坡信号VRAMP。例如，斜坡信号发生器100可以产生斜坡信号VRAMP，该斜坡信号VRAMP每单位时间减小与模拟增益相对应的电压电平。[0044]斜坡信号发生器100可以基于可变电阻来调整斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜坡信号发生器100可以通过在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与模拟增益相对应的第一电阻值来调整斜坡信号VRAMP的斜率。[0045]斜坡信号发生器100可以由于外部改变或内部改变而不期望地调整斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜坡信号发生器100可以耦接在高电压端子VDD与低电压端子VSS之间，并且由于在斜坡信号发生器100与低电压端子VSS之间产生的寄生电阻PR而不期望地增大或减小斜坡信号VRAMP的斜率。这里，寄生电阻PR可以指实质上在斜坡信号发生器100与低电压端子VSS之间产生的寄生电阻。可选地，寄生电阻PR可以指被模拟为在斜坡信号发生器100与低电压端子VSS之间产生的寄生电阻。“斜坡信号VRAMP的斜率已被不期望地调整”这句话意指模拟增益已被不期望地调整。[0046]斜率校正电路200可以基于校正码信号CCXl:C来校正斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜率校正电路200可以基于校正码信号CC〈1:C而直接增大或减小由寄生电阻PR不期望地调整的斜坡信号VRAMP的斜率。校正码信号CCXl:O可以对应于模拟增益而被预设参考下面的表1和表2。校正码信号CC〈1:C可以由电子设备的内部电路未不出）（例如，寄存器或熔丝电路产生，或者可选地由外部设备未示出）（例如，控制器产生。[0047]斜率校正电路200可以基于可变电阻来校正斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜率校正电路200可以通过在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与寄生电阻PR相对应的第二电阻值来校正斜坡信号VRAMP的斜率。[0048]图2是示出根据本公开的一个实施例的斜坡信号发生器和斜率校正电路的示图。例如，在图2中，示出了图1中所示的斜坡信号发生器100和斜率校正电路200的电路图。[0049]参考图2,斜坡信号发生器100可以包括基于固定电流的斜坡电流发生电路110和基于可变电阻的斜率调整电路120。[0050]斜坡电流发生电路110可以基于斜坡码信号RCXl:A而在斜坡信号VRAMP的输出端子上产生与斜坡信号VRAMP相对应的斜坡电流。例如，斜坡电流发生电路110可以包括偏置信号发生单元111以及第一镜像单元至第A镜像单元113。在一些实施例中，“A”可以是2或更大的自然数。[0051]偏置信号发生单元111可以产生具有与参考电流IREF相对应的恒定电压电平的偏置信号VB。例如，偏置信号发生单元111可以耦接在高电压端子VDD与低电压端子VSS之间。[0052]第一镜像单元至第A镜像单元113可以基于偏置信号VB和斜坡码信号RCXl:A而在斜坡信号VRAMP的输出端子上产生每单位时间由预定电平调整的斜坡电流。例如，第一镜像单元至第A镜像单元113可以并联耦接在高电压端子VDD与斜坡信号VRAMP的输出端子之间，可以基于包括在斜坡码信号RC〈1:A中的第一分配信号至第A分配信号而连续被选中，以及可以基于偏置信号VB而通过使参考电流IREF镜像来产生斜坡电流。[0053]斜率调整电路120可以基于增益码信号GC〈1:B而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射第一电阻值。斜率调整电路120可以包括并联耦接在斜坡信号VRAMP的输出端子与低电压端子VSS之间的第一电阻值反射单元至第B电阻值反射单元（其中“B”是2或更大的自然数。[0054]第一电阻值反射单元至第B电阻值反射单元可以基于包括在增益码信号GCXl:B中的第一分配信号至第B分配信号而被单独地控制。第一电阻值反射单元至第B电阻值反射单元可以根据第一分配信号至第B分配信号的组合而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射第一电阻值。包括在第一电阻值反射单元至第B电阻值反射单元中的电阻的电阻值可以彼此相同或不同。[0055]斜率校正电路200可以基于校正码信号CC〈1:0而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射第二电阻值。例如，斜率校正电路200可以包括并联耦接在斜坡信号VRAMP的输出端子与低电压端子VSS之间的第一电阻值反射单元至第C电阻值反射单元其中“C”是1或更大的自然数。[0056]第一电阻值反射单元至第C电阻值反射单元可以基于包括在校正码信号CCXl:C中的第一分配信号至第C分配信号而被单独地控制。第一电阻值反射单元至第C电阻值反射单元可以根据第一分配信号到第C分配信号的组合而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射第二电阻值。包括在第一电阻值反射单元至第C电阻值反射单元中的电阻的电阻值可以彼此相同或不同。[0057]在下文中，将描述具有上述配置的根据本公开的实施例的图1和图2中所示的电子设备的操作。[0058]首先，将描述在寄生电阻PR具有正电阻值的情况下的电子设备的操作。这里，将描述其中以图3所示的方式设计或形成包括在电子设备中的斜率调整电路120、斜率校正电路200和寄生电阻PR的示例。[0059]图3是示出根据本公开的一个实施例的斜率调整电路、斜率校正电路和寄生电阻的电路图。例如，在图3中，示出了示出图2中所示的斜率调整电路120、斜率校正电路200和寄生电阻PR的实施例的电路图。[0060]参考图3,斜率调整电路120可以包括第一电阻值反射单元至第四电阻值反射单元。第一电阻值反射单元至第四电阻值反射单元可以基于包括在增益码信号GCXl:4中的第一增益分配信号GC〈1至第四增益分配信号GC〈4而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射第一电阻值。例如，第一电阻值反射单元可以基于第一增益分配信号GC〈1而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与“R1”相对应的电阻值。第二电阻值反射单元可以基于第二增益分配信号GC〈2而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与“R1”相对应的电阻值。第三电阻值反射单元可以基于第三增益分配信号GC〈3而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与“R12”相对应的电阻值。第四电阻值反射单元可以基于第四增益分配信号GC〈4而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与“R14”相对应的电阻值。这里，第一电阻值可以由第一电阻值反射单元至第四电阻值反射单元中的至少一个电阻值反射单元来限定。[0061]斜率校正电路200可以包括第一电阻值校正单元至第五电阻值校正单元。第一电阻值校正单元至第五电阻值校正单元可以基于包括在校正码信号CCXl:5中的第一校正分配信号CC〈1至第五校正分配信号CC〈5而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射第二电阻值。例如，第一电阻值校正单元可以基于第一校正分配信号CC〈1而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与“128*R1”相对应的电阻值。第二电阻值校正单元可以基于第二校正分配信号CC〈2而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与“64*R1”相对应的电阻值。第三电阻值校正单元可以基于第三校正分配信号CC〈3而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与“32*R1”相对应的电阻值。第四电阻值校正单元可以基于第四校正分配信号CC〈4而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与“16*R1”相对应的电阻值。第五电阻值校正单元可以基于第五校正分配信号CC〈5而在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射与“8*R1”相对应的电阻值。这里，第二电阻值可以由第一电阻值校正单元至第五电阻值校正单元中的至少一个电阻值校正单元来限定。[0062]寄生电阻PR可以在斜坡信号VRAMP的输出端子中不期望地反射与“R1512”相对应的电阻值。[0063]在下文中，将假设以图3所示的方式设计或形成斜率调整电路120、斜率校正电路200和寄生电阻PR来描述电子设备的操作。[0064]斜坡信号发生器100可以基于斜坡码信号RC〈1:A来产生斜坡信号VRAMP。另外，斜坡信号发生器100可以基于增益码信号GC〈1:4来调整斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜率调整电路120可以通过调整要在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射的第一电阻值来调整斜坡信号VRAMP的斜率。斜坡信号VRAMP应该被调整到具有与所期望的模拟增益相对应的第一斜率。然而，由于寄生电阻PR，斜坡信号VRAMP可能具有与第一斜率不同的第二斜率。例如，由于寄生电阻PR具有正电阻值，因此斜坡信号VRAMP可以具有比第一斜率小的第二斜率。[0065]斜率校正电路200可以基于校正码信号CCXl:5来校正斜坡信号VRAMP的斜率。例如，包括在斜率校正电路200中的第一电阻值校正单元至第五电阻值校正单元可以响应于校正码信号CCXl:5而通过调整要在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射的第二电阻值来校正斜坡信号VRAMP的斜率。[0066]例如，在如上所述需要校正的情况下，如下表1中所示，可以产生根据模拟增益的增益码信号和校正码信号。[0067]【表1】[0068][0069]作为参考，如表1所示，在模拟增益为“Γ的情况下，可以禁止第一校正分配信号至第五校正分配信号CCXl:5的全部。其原因是因为第一斜率与第二斜率之间的差异在允许的范围内。[0070]图4和图5是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的性能的示例的曲线图。例如，在图4和图5中，示出了图示图1至图3中所示的电子设备的增强性能的曲线图。[0071]图4是示出根据理想模拟增益（理想AG的实际模拟增益（实际AG的曲线图，以及图5是示出根据理想模拟增益的模拟增益线性度AG线性度的曲线图。[0072]在斜坡信号VRAMP中反射的第一电阻值被寄生电阻PR减小的情况下，斜坡信号VRAMP的斜率可以减小。因此，如图4所示，与理想模拟增益相比，实际模拟增益可能降低参考⑧。[0073]在第一电阻值被不期望地减小的情况下，斜坡信号VRAMP的斜率可以通过在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射第二电阻值而增大。结果，实际模拟增益可能增大，以更接近理想模拟增益参考⑮）。这里，实际模拟增益可以由下面的等式1来定义。[0074][0075]术语“RAC=k”是指当实际模拟增益为k其中k为1、2、4或8时在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射的电阻值。术语“Raw”是指当实际模拟增益为1时在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射的电阻值。术语“SAC=k”是指当实际模拟增益为k时斜坡信号VRAMP的斜率。术语“Saw”是指当实际模拟增益为1时斜坡信号VRAMP的斜率。[0076]在实际模拟增益相比于理想模拟增益降低的情况下（参考⑧），如图5所示，根据理想模拟增益的模拟增益线性度可以降低参考©。另外，由于实际模拟增益增大到理想模拟增益的近似值参考⑮），因此根据理想模拟增益的模拟增益线性度可以增大到正常值参考③）。这里，模拟增益线性度可以由下面的等式2来定义。[0077][0078]将描述在寄生电阻PR具有负电阻值的情况下的电子设备的操作。这里，将描述以图6所示的方式设计或形成包括在电子设备中的斜率调整电路120、斜率校正电路200和寄生电阻PR的示例。[0079]图6是示出根据本公开的一个实施例的斜率调整电路、斜率校正电路和寄生电阻的电路图。例如，在图6中，示出了示出图2中所示的斜率调整电路120、斜率校正电路200和寄生电阻PR的实施例的电路图。[0080]斜率调整电路120和斜率校正电路200具有与图3中的那些相同的配置。因此，将省略其详细说明。[0081]寄生电阻PR可以在斜坡信号VRAMP的输出端子中不期望地反射与“-R1512”相对应的电阻值。这里，发明人注意到寄生电阻PR在物理上不可能具有负电阻值。因此，在一个实施例中，寄生电阻PR可以是被模拟为与其具有负电阻值的情况相对应的寄生电阻。[0082]在下文中，将假设以图6所示的方式设计或形成斜率调整电路120、斜率校正电路200和寄生电阻PR来描述电子设备的操作。[0083]斜坡信号发生器100可以基于斜坡码信号RC〈1:A来产生斜坡信号VRAMP。另外，斜坡信号发生器100可以基于增益码信号GC〈1:4来调整斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜率调整电路120可以通过调整要在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射的第一电阻值来调整斜坡信号VRAMP的斜率。这里，斜坡信号VRAMP应该被调整为具有与模拟增益相对应的第一斜率。然而，由于寄生电阻PR，斜坡信号VRAMP可以具有与第一斜率不同的第三斜率。例如，由于寄生电阻PR具有负电阻值，因此，斜坡信号VRAMP可以具有比第一斜率大的第三斜率。[0084]斜率校正电路200可以基于校正码信号CCXl:5来校正斜坡信号VRAMP的斜率。例如，包括在斜率校正电路200中的第一电阻值校正单元至第五电阻值校正单元可以通过调整要在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射的第二电阻值来校正斜坡信号VRAMP的斜率。[0085]例如，在如上所述需要校正的情况下，可以如下面的表2所示产生根据模拟增益的码信号。[0086]【表2】[0087][0088]图7和图8是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的性能的示例的曲线图。例如，在图7和图8中，图示了用于描述图1、图2和图6所示的电子设备的增强性能的曲线图。[0089]图7是示出根据理想模拟增益（理想AG的实际模拟增益（实际AG的曲线图，以及图8是示出根据理想模拟增益的模拟增益线性度AG线性度的曲线图。[0090]在第一电阻值由寄生电阻PR增大的情况下，斜坡信号VRAMP的斜率可以增大。结果，如图7所示，与理想模拟增益相比，实际模拟增益可以增大参考⑧）。[0091]在第一电阻值被不期望地增大的情况下，斜坡信号VRAMP的斜率可以通过在斜坡信号VRAMP的输出端子中反射第二电阻值而减小。结果，实际模拟增益可以减小以更接近理想模拟增益参考⑯）。[0092]在实际模拟增益相比于理想模拟增益升高的情况下参考⑧），如图8所示，根据理想模拟增益的模拟增益线性度可以增大参考运）。在这种情况下，由于实际模拟增益下降到理想模拟增益的近似值参考⑯），因此根据理想模拟增益的模拟增益线性度也可以降低到正常值参考®。[0093]图9是示出根据本公开的一个实施例的电子设备的框图。[0094]参考图9,电子设备可以包括斜坡信号发生器300和斜率校正电路400。[0095]斜坡信号发生器300可以基于斜坡码信号RC〈1:A和增益码信号GC〈1:B来产生具有与模拟增益相对应的斜率的斜坡信号VRAMP。例如，斜坡信号发生器300可以产生斜坡信号VRAMP，该斜坡信号VRAMP每单位时间减小与模拟增益相对应的电压电平。[0096]斜坡信号发生器300可以基于可变电流来调整斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜坡信号发生器300可以根据模拟增益通过调整偏置信号VB其是在产生斜坡信号VRAMP时所需要的信号）的电压电平来调整斜坡信号VRAMP的斜率。这将在后面更详细地描述（参考图10〇[0097]斜坡信号发生器300可以由于外部改变或内部改变而不期望地调整斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜坡信号发生器300可以耦接在高电压端子VDD与低电压端子VSS之间，并且由于在斜坡信号发生器300与高电压端子VDD之间产生的寄生电阻PR而不期望地增大或减小斜坡信号VRAMP的斜率。这里，寄生电阻PR可以指实质上在斜坡信号发生器300与高电压端子VDD之间产生的寄生电阻。可选地，寄生电阻PR可以指被模拟为在斜坡信号发生器300与高电压端子VDD之间产生的寄生电阻。寄生电阻PR可以包括第一寄生电阻PRl和或第二寄生电阻PR2,并且这将在后面描述参考图10。“斜坡信号VRAMP的斜率已被不期望地调整”这句话意指模拟增益已被不期望地调整。[0098]斜率校正电路400可以基于校正码信号CCXl:C来校正斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜率校正电路400可以基于校正码信号CC〈1:0来间接地增大或减小已经由寄生电阻PR不期望地调整的斜坡信号VRAMP的斜率。[0099]斜率校正电路400可以基于可变电流来校正斜坡信号VRAMP的斜率。例如，斜率校正电路400可以根据寄生电阻PR通过校正偏置信号VB的电压电平来校正斜坡信号VRAMP的斜率。这将在后面详细描述参考图10。[0100]图10是示出根据本公开的一个实施例的斜坡信号发生器和斜率校正电路的曲线图。例如，在图10，示出了图9所示的斜坡信号发生器300和斜率校正电路400的电路图。[0101]参考图10,斜坡信号发生器300可以包括基于可变电流的偏置信号发生电路310和基于固定电阻的斜坡信号发生电路320。[0102]偏置信号发生电路310可以基于增益码信号GCXl:B来产生与模拟增益相对应的偏置信号VB。例如，偏置信号发生电路310可以包括参考电流发生单元和多个偏置电流发生单元。参考电流发生单元可以耦接在偏置信号VB的输出端子与低电压端子VSS之间，并且产生参考电流IREF。多个偏置电流发生单元可以并联耦接在高电压端子VDD与偏置信号VB的输出端子之间，并且基于增益码信号GCXl:B而在偏置信号VB的输出端子上产生与模拟增益相对应的偏置电流。[0103]偏置信号发生电路310可以耦接在高电压端子VDD与低电压端子VSS之间。第一寄生电阻PRl可以形成在偏置信号发生电路310与高电压端子VDD之间。在这种情况下，偏置信号发生电路310可以产生电压电平已经被第一寄生电阻PRl不期望地调整的偏置信号VB。[0104]斜坡信号发生电路320可以包括固定电阻单元和多个斜坡电流发生单元。固定电阻单元可以耦接在斜坡信号VRAMP的输出端子与低电压端子VSS之间，并且具有固定的电阻值。多个斜坡电流发生单元可以并联耦接在高电压端子VDD与斜坡信号VRAMP的输出端子之间，并且基于偏置信号VB和斜坡码信号RC〈1:A而在斜坡信号VRAMP的输出端子上产生每单位时间由预定电平调整的斜坡电流。[0105]在偏置信号VB的电压电平通过第一寄生电阻PRl而被不期望地调整的情况下，斜坡信号发生电路320可以产生斜率已经被不期望地调整的斜坡信号VRAMP。[0106]另外，斜坡信号发生电路320可以耦接在高电压端子VDD与低电压端子VSS之间。第二寄生电阻PR2可以形成在斜坡信号发生电路320与高电压端子VDD之间。在这种情况下，斜坡信号发生电路320可以产生斜率已经由第二寄生电阻PR2不期望地调整的斜坡信号VRAMP0[0107]斜率校正电路400可以耦接在高电压端子VDD与偏置信号VB的输出端子之间，并且校正斜坡信号VRAMP的斜率，该斜坡信号VRAMP的斜率已经被第一寄生电阻PRl和第二寄生电阻PR2中的至少一个不期望地调整。例如，当第一寄生电阻PRl和第二寄生电阻PR2中的至少一个具有正值时，斜率校正电路400可以减小斜坡信号VRAMP的斜率。可选地，当第一寄生电阻PRl和第二寄生电阻PR2中的至少一个具有负值时，斜率校正电路400可以增大斜坡信号VRAMP的斜率。[0108]例如，斜率校正电路400可以包括多个校正电流发生单元。多个校正电流发生单元可以并联耦接在高电压端子VDD与偏置信号VB的输出端子之间，并且基于校正码信号CC〈1:C而在偏置信号VB的输出端子上产生与第一寄生电阻PRl和第二寄生电阻PR2中的至少一个相对应的校正电流。[0109]如图9和图10所示的具有上述配置的根据实施例的电子设备的操作类似于如图1至图8所示的根据实施例的电子设备的操作。因此，省略了图9和图10的实施例的电子设备的操作。[oho]根据本公开的实施例，如上所述，电子设备的优点在于，其能够校正由直接或间接属于产生斜坡信号的电路的工艺变化而引起的模拟增益的非线性度。[0111]在本公开的一个实施例中，当根据模拟增益来调整斜坡信号的斜率时，模拟增益的线性度可以被保持为基本恒定。因此，可以提高电子设备的操作可靠性。[0112]尽管为了说明的目已经描述了特定实施例，但是对于本领域技术人员明显的是，在不脱离如所附权利要求所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。

权利要求：1.一种电子设备，包括：斜坡信号发生器，其适用于产生具有与模拟增益相对应的斜率的斜坡信号；以及斜率校正电路，其适用于基于校正码信号来校正斜率。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，斜坡信号发生器耦接在第一电压端子与第二电压端子之间，以及其中，斜率校正电路校正由形成在斜坡信号发生器与第一电压端子之间或形成在斜坡信号发生器与第二电压端子之间的寄生电阻改变的斜率。3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，校正码信号对应于模拟增益而被预设。4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，斜坡信号发生器基于斜坡码信号和增益码信号而根据模拟增益来调整斜率。5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，斜坡信号发生器通过调整要在斜坡信号的输出端子中反射的电阻值来调整斜率，以及其中，斜率校正电路通过在斜坡信号的输出端子中反射预定电阻值来校正斜率。6.根据权利要求4所述的电子设备，其中，斜坡信号发生器通过调整在产生斜坡信号时所需的偏置信号的电压电平来调整斜率，以及其中，斜率校正电路通过在偏置信号的输出端子上产生校正电流来校正斜率。7.—种电子设备，包括：斜坡电流发生电路，其适用于在斜坡信号的输出端子上产生与斜坡信号相对应的斜坡电流；斜率调整电路，其适用于根据模拟增益来调整斜坡信号的斜率；以及斜率校正电路，其适用于基于校正码信号来校正斜坡信号的斜率。8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，斜率调整电路耦接在斜坡信号的输出端子与低电压端子之间，以及其中，斜率校正电路校正由形成在斜率调整电路与低电压端子之间的寄生电阻改变的斜坡信号的斜率。9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，斜率校正电路在寄生电阻具有正值时减小斜率，而在寄生电阻具有负值时增大斜率。10.根据权利要求7所述的电子设备，其中，校正码信号对应于模拟增益而被预设。11.根据权利要求8所述的电子设备，其中，斜率校正电路包括并联耦接在斜坡信号的输出端子与低电压端子之间的多个电阻值反射单元，以及其中，所述多个电阻值反射单元基于校正码信号而在斜坡信号的输出端子中反射与寄生电阻相对应的电阻值。12.根据权利要求7所述的电子设备，其中，斜坡电流发生电路包括：偏置信号发生单元，其耦接在高电压端子与低电压端子之间，并且被配置为产生与参考电流相对应的偏置信号；以及多个镜像单元，其并联耦接在高电压端子与斜坡信号的输出端子之间，并且被配置为基于偏置信号和斜坡码信号而通过使参考电流镜像来产生斜坡电流。13.根据权利要求7所述的电子设备，其中，斜率调整电路包括并联耦接在斜坡信号的输出端子与低电压端子之间的多个电阻值反射单元，以及其中，所述多个电阻值反射单元基于增益码信号而在斜坡信号的输出端子中反射与模拟增益相对应的电阻值。14.一种电子设备，包括：偏置信号发生电路，其适用于产生与模拟增益相对应的偏置信号；斜坡信号发生电路，其适用于产生斜坡信号，并且基于偏置信号来调整斜坡信号的斜率；以及斜率校正电路，其适用于基于校正码信号来校正斜坡信号的斜率。15.根据权利要求14所述的电子设备，其中，偏置信号发生电路和斜坡信号发生电路中的每一个耦接在高电压端子与低电压端子之间，其中，斜率校正电路基于校正码信号来校正由第一寄生电阻和第二寄生电阻中的至少一个改变的斜坡信号的斜率，以及其中，第一寄生电阻形成在高电压端子与偏置信号发生电路之间，而第二寄生电阻形成在高电压端子与斜坡信号发生电路之间。16.根据权利要求15所述的电子设备，其中，斜率校正电路在第一寄生电阻和第二寄生电阻中的至少一个具有正值时减小斜率，而在第一寄生电阻和第二寄生电阻中的至少一个具有负值时增大斜率。17.根据权利要求14所述的电子设备，其中，校正码信号对应于模拟增益而被预设。18.根据权利要求15所述的电子设备，其中，斜率校正电路包括多个校正电流发生单元，所述多个校正电流发生单元并联耦接在高电压端子与偏置信号的输出端子之间，以及其中，所述多个校正电流发生单元基于校正码信号而在偏置信号的输出端子上产生与第一寄生电阻和第二寄生电阻中的至少一个相对应的校正电流。19.根据权利要求14所述的电子设备，其中，偏置信号发生电路包括：参考电流发生单元，其耦接在偏置信号的输出端子与低电压端子之间；以及多个偏置信号发生单元，其并联耦接在高电压端子与偏置信号的输出端子之间，以及其中，所述多个偏置信号发生单元基于增益码信号而在偏置信号的输出端子上产生与模拟增益相对应的偏置电流。20.根据权利要求14所述的电子设备，其中，斜坡信号发生电路包括：固定电阻单元，其耦接在斜坡信号的输出端子与低电压端子之间；以及多个斜坡电流发生单元，其并联耦接在高电压端子与斜坡信号的输出端子之间，以及其中，所述多个斜坡电流发生单元基于偏置信号和斜坡码信号而在斜坡信号的输出端子上产生斜坡电流，所述斜坡电流每单位时间由预定电平来调整。

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