申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2015-05-21

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN106471630B

主分类号：H01L33/20(20100101)

分类号：H01L33/20(20100101);H01L33/00(20100101);H01L33/22(20100101);H01L33/30(20100101)

优先权：["20140617 JP 2014-124143"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.17#授权;2017.05.31#实质审查的生效;2017.03.01#公开

摘要：提供了一种半导体器件101，包括：第一半导体层25和第二半导体层24；第一半导体层25具有主表面和以第一角度设置的第一侧表面251，主表面是在层叠方向的生长表面；第二半导体层24邻近第一半导体层25并具有第二侧表面241，第二侧表面241从第一半导体层25的第一侧表面251以不同于第一角度的第二角度延伸。

主权项：1.一种半导体器件，包括：第一半导体层，包括第一半导体材料并且具有主表面和以第一角度设置的第一侧表面，其中所述主表面是在层叠方向上的生长表面；和第二半导体层，由与所述第一半导体材料不同的第二半导体材料形成，所述第二半导体层与所述第一半导体层的生长表面相邻，并具有从所述第一半导体层的所述第一侧表面以不同于所述第一角度的第二角度延伸的第二侧表面；以及光提取表面，位于所述第二半导体层的与所述第一半导体层相对的一侧；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层各自的所述第一侧表面和第二侧表面配置为使得相对于所述层叠方向所述第一角度大于所述第二角度。

全文数据：半导体器件、封装器件、发光面板装置、晶片和制造半导体器件的方法技术领域[0001] 交叉引用相关申请[0002] 本申请要求2014年6月17日提交的日本优先权专利申请JP2014-124143的权益，其全部内容通过引用并入本文。[0003] 本技术涉及一种半导体器件技术，例如发光器件和开关器件。背景技术[0004] 近年来，作为重量轻并且薄的显示器件，使用LED作为显示像素的发光二极管LED显示器已经引起关注。LED显示器的特点是没有对比度和色彩随视角变化的视角依赖性，并当色彩改变时具有快的响应速度。例如，适用于LED显示器的发光器件在专利文献1中披露。专利文献1中的发光器件具有倒梯形形状，例如例如，参见专利文献1中的图2a等。[0005] [引文列表][0006] [专利文献][0007] [PTL1][0008] 日本专利申请公开号2012-182276发明内容[〇〇〇9][技术问题][0010] 具有改进的空间，例如，上述发光器件中的半导体器件的形状。[0011] 本技术的目的是提供一种具有改进形状的半导体器件、封装器件、发光面板装置、晶片和生产半导体器件的方法。[0012] [解决问题的方法][0013] 为了达到上述目的，一种根据本技术的半导体器件，包括:第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层具有主表面和设置在第一角度的第一侧表面，主表面是在层叠方向的生长表面，并且第二半导体层邻近第一半导体层并具有第二侧表面，第二侧表面从第一半导体层的第一侧表面以不同于第一角度的第二角度延伸。[0014] —种根据本技术的其它半导体器件，包括:第一半导体层和在层叠方向上形成在第一半导体层上的第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层具有形成在各个层中的凹陷部，并且凹陷部具有第一内表面和第二内表面，第一内表面在第一半导体层中具有相对于叠层方向的第一角度，第二内表面在第二半导体层中具有不同于第一角度的第二角度。[0015] —种根据本技术的其它封装器件，包括衬底。[0016] 安装在衬底上的多个半导体器件;和设置在衬底上并覆盖至少一些半导体器件的树脂密封部。多个半导体器件中的至少一个具有第一半导体层，该第一半导体层具有垂直于层叠方向的主表面和相对于层叠方向以第一角度设置的侧表面。与第一半导体层相邻的第二半导体层具有以不同于第一角度的第二角度从第一半导体层的侧表面延伸的侧表面。[0017]—种根据本技术的发光面板装置，包括[〇〇18]发光面板，包括衬底、安装在衬底上的多个发光器件、和设置在衬底上覆盖多个发光器件中的至少一些的树脂密封部和驱动发光面板的驱动电路。多个半导体器件中的至少一个具有第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层具有垂直于层叠方向的主表面和侧表面，该侧表面相对于层叠方向以第一角度设置，与第一半导体层相邻的第二半导体层具有以不同于第一角度的第二角度从第一半导体层的侧表面延伸的侧表面。[0019]—种根据本技术的晶片，包括:衬底和规则地布置在衬底上的多个半导体器件。多个半导体器件中的至少一个具有第一半导体层，第一半导体层具有垂直于层叠方向上的主表面和相对于所述层叠方向以第一角度设置的侧表面。与第一半导体层相邻的第二半导体层具有以不同于第一角度的第二角度从第一半导体层的侧表面延伸的侧表面。[0020]—种根据本技术的生产半导体器件的方法，包括:外延地生长第一半导体层，在生长方向上外延地生长与第一半导体层相邻的第二半导体层;和刻蚀第一半导体层或第二半导体层的至少一个，从而第一半导体层的侧表面相对于生长方向具有第一角度，并且从而第二半导体层的侧表面具有不同于第一角度的第二角度。[0021] [发明的有益效果][0022] 如上所述，根据本技术，可以实现具有改进形状的半导体器件和包括该半导体器件的装置。[0023] 此处所描述的效果不是受限制的，并且可以提供本公开中所描述的任何效果。附图说明[0024] [图1A]图1A是显示作为根据本技术第一实施方式的半导体器件的发光器件的配置的截面图。[〇〇25][图1B]图1B显示图1A中的发光器件的放大的侧表面。[〇〇26][图2A]图2A示意性地显示第一半导体层和第二半导体层的原子间的键。[〇〇27][图2B]图2B示意性地显示当半导体层由常温键合来键合时的原子间的键，例如，作为比较实施方式。[〇〇28][图3A]图3A显示生产上述发光器件的方法的主要过程。[〇〇29][图3B]图3B显示生产上述发光器件的方法的主要过程。[〇〇3〇][图3C]图3C显示生产上述发光器件的方法的主要过程。[0031][图4]图4是显示根据本技术的第二实施方式的发光器件的配置的截面图。[〇〇32][图5]图5是显示根据本技术的第三实施方式的发光器件的配置截面图。[〇〇33][图Q图6是显示根据本技术的第四实施方式的发光器件的配置截面图。[0034][图7]图7是显示根据本技术的第五实施方式的发光器件的配置截面图。[〇〇35][图8A]图8A显示顺序生产根据第五实施方式的发光器件的方法。[〇〇36][图8B]图8B显示顺序生产根据第五实施方式的发光器件的方法。[〇〇37][图8C]图8C显示顺序生产根据第五实施方式的发光器件的方法。[〇〇38][图8D]图8D显示顺序生产根据第五实施方式的发光器件的方法。[〇〇39][图8E]图8E显示顺序生产根据第五实施方式的发光器件的方法。[0040][图9A]图9A显示图8E之后的生产发光器件的方法。[〇〇41][第9B]第9B显示图8E之后的生产发光器件的方法。[〇〇42][图9C]图9C显示图8E之后的生产发光器件的方法。[〇〇43][图9D]图9D显示图8E之后的生产发光器件的方法。[〇〇44][图10]图10是显示根据本技术第六实施方式的RGB封装器件的平面图。[〇〇45][图11]图11是沿图10中的A-A线的截面图。[〇〇46][图12A]图12A显示顺序生产RGB封装器件的方法。[〇〇47][图12B]图12B显示顺序生产RGB封装器件的方法。[〇〇48][图12C]图12C显示顺序生产RGB封装器件的方法。[〇〇49][图12D]图12D显示顺序生产RGB封装器件的方法。[0050] [图13]图13是示意性显示包括RGB封装器件的发光面板装置显示装置的透视图。[0051] [图14]图14是从根据第七实施方式的发光器件的垂直轴方向层叠方向上观察的平面图，并显示如图12所示的说明性的一个发光器件的另一实施方式。[0052] [图15]图15是显示根据实施方式的晶片的平面图。[〇〇53][图16]图16是显示GaN基发光器件的配置的截面图。[〇〇54][图17]图17是显示作为半导体器件例如开关装置的HEMT高电子迀移率晶体管器件的配置的截面图。具体实施方式[0055] 在下文中，将参考附图描述本技术的实施方式。[0056] 在下面的描述中，参考附图，器件或装置的方向或位置可以用词“上、下、左、右、垂直或水平”来表示。用语可能只是为了方便地描述。换句话说，用于可以通常用来更好地理解描述，并且可能不符合当器件或装置实际上生产或使用时的方向或位置。[〇〇57]第一实施方式[〇〇58]发光器件的配置[0059] 图1A是显示作为根据本技术第一实施方式的半导体器件的发光器件的配置的截面图。[0060] 发光器件101是具有微米量级尺寸的微型LED。上层侧开始，发光器件101包括第一电极11、第一接触层11a、第一导电类型层21、有源层23、第二导电类型层22,第二接触层24和第二电极12。[〇〇61] 第一导电类型层21由例如硅掺杂AlGalnP构成。AlGalnP由AlxGai—xQ.5In〇.5P正确表示。例如，x=0.7。AlxGai—xQ.5和In〇.5P可以具有变形，例如AlxGai—x0.49,In0.51等。[〇〇62] 有源层23具有多量子阱结构，并且由3至20层GalnPAlGalnP构成。[0063] 第二导电类型层22是由例如Mg掺杂AlGalnP构成。用于减少铝成分、减少半导体之间的能带不连续性和降低工作电压的结构中间层可以插入第二导电类型层22和第二接触层24之间。换句话说，第二接触层24可以直接连接到第二导电类型层22或可以通过中间层连接。例如，从第二导电类型层22侧开始，第二接触层24由Mg掺杂GaP和Zn掺杂GaP构成。注意，第二接触层24也可以实质上作为导电类型层第二导电类型层起作用。[0064] 从在其下侧的第一导电类型层21开始，第一电极11由AuGeNiAu阻挡金属构成。第一电极11不限于该结构，并且可能包含Cu、Pt等。[〇〇65]当容易与AuGe接触的的GaAs:Si具有约100nm的厚度被作为第一电极11和第一导电类型层21之间的第一接触层11a生长时，有助于进一步降低电压。然而，第一接触层11a可以不必设置。[〇〇66] 第二电极12例如由TiPtAu构成，但不限于此，并且可以包含PdPtAu、Au、Cu等。[0067] 如上所述，发光器件101由GaP基材料构成，并且是发射红光的微型LED。[0068] 在说明书中，由第一导电类型层21、有源层23和第二导电类型层22构成的层为了方便被称为“第一半导体层”，其在本实施方式中的被赋予附图标记25。第二接触层24对应于“第二半导体层”。在下文中，为了方便，第一导电类型层21、有源层23、第二导电类型层22和第二接触层24可以被称为“半导体层”245。[〇〇69]图1B显示1A中的发光器件的放大的侧表面。第一导电类型层21、有源层23和第二导电类型层22的每个侧表面连续层叠，即第一半导体层25的侧表面251相对于每个层的层叠方向即Z方向设置在第一角度a上。[0070] 另一方面，以后面描述的原子层级连续设置在第一半导体层25的侧表面251上的第二接触层24的侧表面241相对于Z方向设置在不同于第一角度a的第二角度P上。[〇〇71]换句话说，在本实施方式中，包含In的第一半导体层25的侧表面251在第一角度a上，并且不含In的第二半导体层24的侧表面241在第一角度0上。以这种方式，发光器件101被实现作为具有改进的新颖形状的半导体器件。[〇〇72]例如，当第二接触层24的侧表面241的角度与第一角度a相同时，第二接触层具有尖角。然后，尖角很容易“破裂”。这可能在特别是发光器件的生产过程中导致粒子，并且可能降低产品的可靠性。与此相反，在本实施方式中，第二接触层24的侧表面241的角度是如下所述地沿Z方向或接近Z方向。因此，可以解决这样的问题。[〇〇73] 假定发光器件101具有一种配置，其中从有源层23产生的光被从与第二电极12接触的第二接触层24的表面为了方便此处被称为“下表面”提取。在这种情况下，由于第二接触层24的侧表面241几乎是垂直的，所以侧表面241具有增强的功能，来反射并将来自有源层23的光引导到下表面换句话说，后面描述的光提取表面。以这种方式，提高了来自光提取表面242的光提取效率，并且有助于产生朗伯光源。[0074]关于半导体层的原子层级键合的考虑[〇〇75]图2A示意性地显示第一半导体层25和第二半导体层24的原子间的键。在第一半导体层25AlGalnP和第二接触层24GaP之间的界面，除了晶格缺陷D以外的所有原子被键合。如后面所述，半导体层245通过在衬底上的外延生长半导体晶体生长形成。[〇〇76] 另一方面，图2B示意性地显示当半导体层18、19由常温键合来键合时的原子间的键，例如作为图2A的比较实施方式。这样，在两个半导体层18、19之间的界面上，形成体积大于晶格缺陷的体积的空隙V。换句话说，在不通过外延生长而是通过常温键合的键合方法中，没有保持原子排列，并且形成空隙V。[〇〇77]生产发光器件的方法的主要过程[〇〇78] 图3A至3C显示生产上述发光器件101的方法的主要过程。这里，如后面描述的，后面的过程在半导体层245’通过M0CVD金属有机化学气相沉积等在衬底上形成并且由Si02等制成的掩膜M在半导体层上形成之后示出。[0079]如图3A所示，通过例如反应离子刻蚀RIE进行各向异性刻蚀。刻蚀温度为100摄氏度至200摄氏度。刻蚀气体是氯基气体，例如SiCl4和Cl2。如图3B所示，在第二接触层24’上的第一半导体层AlGalnP25’被去除，从而形成侧表面251’侧表面251’以第一角度形成斜坡，导致形成侧表面251参见图3C。[0080]在图3A中，掩模M的端部的侧表面Ml例如，掩模M的开口端相对于Z方向具有角度，从而促进侧表面251’的形成该侧表面251’形成第一半导体层25’的斜坡。然而，即使侧表面Ml是沿z方向垂直的，第一半导体层25’的侧表面251’也形成为斜坡。[〇〇81]第一半导体层25的刻蚀速度与第二接触层24GaP的刻蚀速度不同。具体的，第二接触层24的刻蚀速度高于第一半导体层25的刻蚀速度。例如，第一半导体层25的刻蚀速度为3至10微米小时例如，6微米小时，并且第二接触层24的刻蚀速度是30至60微米小时。[0082]在第一半导体层25上形成斜坡的原因可以如下:[0083]铟In是在取决于刻蚀温度的刻蚀期间较少气化并且容易沉积在层表面的物质。由于沉积的层表面上的In本身作为刻蚀的掩模，在更深位置的材料不太可能被去除。与此相反，在不包含In的第二接触层24中，没有这样的现象发生，侧表面241将几乎垂直地形成。如上所述，刻蚀速度之间的差异可能有助于促进这样的行为。[0084]如上所述，刻蚀温度为100摄氏度至200摄氏度。例如，可能是100摄氏度到150摄氏度。可能是110摄氏度、120摄氏度、130摄氏度、140摄氏度或1100摄氏度至140摄氏度。此外，可能是150摄氏度到200摄氏度。[〇〇85]第二实施方式[0086]图4是显示根据本技术的第二实施方式的发光器件的配置的截面图。在下文中，根据如图1所示的实施方式的发光器件101所包含的基本相同的组件等用相同的附图标记表示，因此其详细的描述将被简化或省略，并主要描述不同点。[〇〇87]发光器件102具有覆盖至少半导体层的侧表面的绝缘层33介电膜。例如，绝缘层33不仅覆盖半导体层的侧表面，而且覆盖作为第二接触层24的下表面的光提取表面242和与第一接触层11a接触的第一导电类型层21的表面212在下文中为了方便成为半导体层的“上层”。在绝缘层33上设置端子电极41。端子电极41通过形成在绝缘层33中的开口33a连接到第一电极11。在绝缘层33的下侧，形成用于将后面描述的布线电极42连接到第二电极12的开口33b。[〇〇88]绝缘层33由包括例如Si02或SiN的透明材料构成。其它透明材料包括Al2〇3、Ti02、TiN等。[0089]在绝缘层33内，金属层镜面35面对半导体层的上表面和侧表面设置。金属层35具有反射从有源层23产生的光并提高来自光提取表面242的光提取效率的功能。[0090]例如，金属层35从内侧半导体侧到外侧，由层叠的AlAuTi或层叠的TiAuTi的各个材料构成。端子电极41由与金属层35相同的材料构成。应该理解，金属层35和端子电极41不限于这些材料和层叠顺序。金属层35不与第一电极11和第二电极12导电，并且是浮动的。金属层可以向它们中任意一个导电。[〇〇91]绝缘层33和金属层35通过CVD、气相沉积、溅射等形成。例如，在半导体层的表面侧表面、上表面和下表面上形成第一绝缘层31。在第一绝缘层31上形成金属层35。在金属层35上，形成第二绝缘层32。[〇〇92]如果第二接触层具有类似于第一半导体层25的侧表面该侧表面形成斜坡的侧表面，设置在第二接触层的侧表面上的绝缘层具有形成斜坡的侧表面。在这种情况下，金属层以与斜坡相同的角度形成到与光提取表面相同的表面上。在这种情况下，当第二接触层的锐角和接触其侧表面的成锐角的绝缘层“破裂”时，则产生暴露金属层的颗粒和关系到发光器件及其外围电路的不良影响例如短路。[〇〇93]当第二接触层24太薄时，是没有意义的。形成光学透视，以提高发光性能，认为厚度应该大于[发光波长折射率]，即大于用发光波长除以第二接触层24的给出的值。[〇〇94]根据本实施方式，由于第二接触层24的侧表面241和与侧表面241接触的绝缘层33的侧表面331几乎垂直形成，可以克服上述问题。这样，产品的产量和可靠性都被提高。[〇〇95]如图4所示，作为发光器件102的典型尺寸，在x方向的宽度是5至50微米，例如，15微米。在x方向的厚度是1至20微米，例如，3至4微米。在Y方向的长度是5到50微米，例如，25微米。应该理解，尺寸不限于此范围。在微型LED的情况下，如上所述，在x和Y方向的长度是5微米至100微米。[〇〇96]第三实施方式[〇〇97]图5是显示根据本技术的第三实施方式的发光器件的配置截面图。发光器件103中，布线电极42连接到如图4所示的发光器件102的第二电极12。例如，布线电极42穿过绝缘层33的一部分与该部分接触形成。例如，布线电极42由Au、Cu等构成，但不限于此。[〇〇98]如第二实施方式中描述的，假定第二接触层具有与形成第一半导体层的斜坡的侧表面类似的侧表面。在这种情况下，在绝缘层内形成的金属层与光提取层齐平。因此，为了不使金属层和布线电极短路，例如，布线电极的一部分或金属层的一部分应被去除。[0099] 与此相反，在根据本实施方式的发光器件103中，不需要用于防止短路的结构，从而降低了制造成本。[0100] 第四实施方式[0101] 图6是显示根据本技术的第四实施方式的发光器件的配置截面图。[0102]发光器件104的绝缘层33具有与第二接触层24的侧表面241接触的延伸部33c。延伸部33c通过在x方向将绝缘层33延伸到预定长度来配置。金属层35形成为被暴露在延伸部33c的侧表面331c。以这种方式，在图6的横截面上观察，金属层35沿着布线电极42例如与布线电极42基本平行，从而进一步降低短路的风险。[〇1〇3]虽然，在本实施方式中，金属层35形成为被暴露在延伸部33c的侧表面331c，绝缘层33的延伸部可以形成以免暴露金属层。[〇1〇4]第五个实施方式[〇1〇5]发光器件的配置[0106]图7是显示根据本技术的第五实施方式的发光器件的配置截面图。发光器件105具有包括除了图6中所示的发光器件104之外的以下特征的配置。[〇1〇7]发光器件105的第二接触层24和第二导电类型层22具有从光提取表面下表面242侧到第二导电类型层22连续形成的凹陷部243。凹陷部243形成为不到达有源层23。设置多个凹陷部243,从而在光提取表面242上形成纹理结构。在光提取表面242侧观察在Z方向上观察的凹陷部243可以具有任何形状，例如圆形、多边形形状例如矩形等。[〇1〇8] 凹陷部243具有形成在第二导电类型层22中的第一内表面243a和形成在第二接触层24中的第二内表面243b。第一内表面243a相对于层叠方向方向的角度是第一角度a第三角度并且第二内表面243b的角度是第二角度¢第四角度。使用参考图3描述的生产方法，可以形成凹陷部243的配置。凹陷部243也用绝缘层33的材料掩埋。[0109] 通过设置凹陷部243,在半导体层中的光的总反射是被抑制的，从而提高光提取表面242上的光提取效率。此外，第二接触层24可以在几乎垂直的角度刻蚀，从而凹陷部243可以变深，从而进一步提供改善光提取效率的效果。[〇11〇]生产发光器件的方法[〇111] 接下来，将要描述根据第五实施方式的生产发光器件的方法。图8A至8E和图9A至9D按顺序显示了生产方法。[0112] 如图8A所示，通过上述M0CVD方法，例如，半导体层245’形成在支撑衬底第一衬底91上作为生长层。例如，GaAs用作支撑衬底91。这里，第一半导体层25和第二半导体层第二接触层24没有分别显示。在支撑衬底91上形成第一半导体层25,并且在垂直方向层叠方向上通过晶体生长在第一半导体层25上形成第二半导体第二接触层24。换句话说，垂直方向是第一半导体层25和第二半导体层的层叠方向。垂直与层叠方向的表面是主表面，该主表面是半导体晶体的生长表面。[〇113] 如图8B所示，导电膜形成在半导体层245’上，并且第二电极12通过光刻和刻蚀形成。然后，纹理结构通过凹陷部243形成在半导体层245’上。[0114] 如图8C所示，绝缘层335绝缘层33的一部分形成在半导体层245’上。如上所述，绝缘层335通过气相沉积、溅射等形成。[0115] 如图8D所示，例如，透明衬底92第二衬底通过由聚酰亚胺基树脂构成的粘合层未示出从支撑衬底91的相对侧粘合到第二半导体层245’。[0116] 此后，如图8E所示，支撑衬底91从半导体层245’去除。例如，当支撑衬底91是GaAs衬底时，使用第一导电类型层例如，AlGalnP通过研磨和过氧化氢氨来去除。[〇117] 接下来，如图9A所示，第一电极11和第一接触层11a形成在半导体层245’图7所示的第一导电类型层21上。第一电极11和第一接触层11a通过成膜、光刻和刻蚀形成。如图3A至3C所示，半导体层245通过反应离子刻蚀成形。通过这种方式，如图9A所示，一个半导体层245’分多个半导体层254。[0118] 如图9B所示，绝缘层335’和其中的金属层35参见图7通过CVD、气相沉积、溅射等形成。[0119] 如图9C所示，开口33a通过在第一电极11上的绝缘层335’上刻蚀形成，端子电极41通过成膜、光刻和刻蚀形成。这样，第一电极11和端子电极41导电。[〇12〇] 在图9C之后，通过与绝缘层335’连接而集成的每个发光器件器件层被转移到其它透明衬底晶片150的衬底10,所述晶片150是如后面描述的第三衬底上。在其它透明衬底上，各个发光器件通过刻蚀等分开。此后，发光器件进一步使用如后面描述的激光烧蚀方法转移到其它衬底第四衬底。[0121] 在各个发光器件被分开之后，如图9D所示，每个发光器件105’转移安装到安装衬底93。在安装衬底93上形成布线94和电极衬垫。为了将端子电极41连接到布线94，每个发光器件105’安装在安装衬底93上。在这种情况下，除了如后面所述的期望的电镀结合之外，发光器件105’通过普通的焊接结合连接到安装衬底93上的布线94。[0122] 此后，形成布线电极42参见图7以便连接到第二电极12,从而提供发光器件105。[0123] 当连接到第一电极11的端子电极41在中心具有开口或者有多个端子电极41时，发光器件101可以通过由日本专利申请公开号2011-233733披露的自对准方法暂时固定在安装衬底上。在暂时固定之后，发光器件105’可以通过电镀结合到安装衬底93上的布线94。[0124] 第六实施方式[0125] 接下来，作为根据本技术的第六实施方式，对应于通过排列发射红R、绿G、蓝⑶三个颜色的发光器件105配置的一个像素的RGB封装器件。[0126] 封装器件的配置[0127] 图10是显示RGB封装器件205的平面图。图11是沿图10中的A-A线的截面图。这三个R、G、©发光器件105具有基本相同的形状和结构，并且由不同的材料组成。在G、B发光器件105中，使用包括AlGaN和InGaN的GaN基材料。例如，R、G、B发光器件105沿Y方向排列，但排列不限于此，并且可以取决于发光器件105的形状。[0128] 如图10和11所示，两种类型的布线94形成在安装衬底93上。这些布线94是数据线94d和扫描线94s。例如，无源矩阵驱动系统用于发光器件105的驱动系统。数据线94d在第一电极11侧连接到端子电极41，并且扫描线94s在第二电极12侧连接到布线电极42。这三个R、G、G发光器件105由透明树脂密封部50封装在安装衬底93上。在图10中，树脂密封部50由粗线代表，并且布线94由交替的长与短的虚线代表。树脂密封部50可以与其它RGB封装器件未显示集成。[0129] 如图10所示，由多个上述凹陷部243构成的纹理结构在x方向上设置在矩形第二电极12的两端。各个凹陷部243沿X和Y方向设置。[〇13〇]发光面板的配置[〇131]作为发光面板装置的显示装置是通过排列多个RGP封装器件205来配置的RGP封装器件205在图10和11中示出，每个都形成矩阵中的一个像素。图13是示意性显示发光面板装置显示装置100的透视图。[0132] 例如，发光面板装置100包括发光面板95,发光面板95具有包括RGB封装器件205的安装衬底93和与安装衬底重叠的透明衬底99。透明衬底99的表面是图像显示表面。透明衬底99具有显示区域99A和框架区域99B，框架区域99B是在透明衬底99外围的非显示区域。发光面板装置100包括驱动安装衬底93上的各个发光器件105的驱动电路未显示。[0133] 为了提供具有柔性、反射特性和边界在分离后不可见的特性的透明衬底99,透明树脂可以应用于透明衬底99或者透明膜可以贴附到透明衬底99。[0134] 发光面板装置100也用作照明装置以及显示装置。当发光面板装置是照明装置时，三个R、G、G发光器件不是必须使用。可以包括至少这些发光器件的一类，并且可以进行任何排列。[0135] 生产封装器件的方法[0136] 图12A至12D顺序地显示生产RGB封装器件205的方法。在每个图12A至12D中，上面的图代表截面图，并且下面的图代表平面图。如图12A所示，形成A1或Cu布线数据线94d、扫描线94s的导电类型层形成在安装衬底93上。[0137] 如图12B所示，各个发光器件105’安装在数据线94d上。各个发光器件105’的数据线94d和端子电极41通过电镀结合。由附图标记41表示的区域是端子电极和镀敷层的结合的区域。[0138] 如图12C所示，布线电极42是由成膜、光刻和刻蚀形成的，并且连接到扫描线94s。[0139] 如图12D所示，各个R、G、B发光器件105由树脂覆盖，以形成树脂密封部50。[0140] 第七实施方式[0M1]图14是从根据第七实施方式的发光器件的垂直轴方向层叠方向上观看的平面图，并显示如图12所示的一个实例性发光器件的另一实施方式。如参考图4的描述，当发光器件是在x和y方向具有5微米至100微米的长度的微型LED时，如图14所示，发光器件106设计为在层叠方向观察具有圆角l〇6a，从而提供显着的优势。[0142]通过发光器件106的圆角106a，有角的区域被减少以增加角106a的强度和抑制必然的损害。因此，可以如上所述减少颗粒和灰尘，其有助于提高发光效率，并且可以提高产品可靠性。在微型LED的生产中，减少灰尘是重要的，特别是在LED具有大的纵横比的情况下。[〇143]晶片[0144] 图15是显示根据实施方式的晶片的平面图。[0145] 晶片150包括衬底10第三衬底和多个发光器件例如未形成布线电极42等的发光器件105115。晶片150具有多个发光器件115规则地排列在衬底10上的配置。通常，发光器件115以矩阵排列。[0146] 例如，衬底10具有排列发光器件115的表面，并且配置有2至12英寸的晶片。通常，在一个晶片上，发光器件115能够发射同一类型的，S卩，相同颜色的光。作为衬底10,使用如后面所述对被辐射的激光波长具有高透射率的材料。例如，材料是蓝宝石A1203、石英Si02、玻璃等。[0147] 粘合层未显示设置来粘合衬底10和发光器件115。粘合层由具有粘合性能的热塑性树脂材料例如聚酰亚胺构成。粘合层的材料不局限于上述材料，并且紫外光固化树月旨、胶黏剂片、胶黏剂材料等。[0148] 在上述图9C之后的过程中，粘合层被加热，并通过经过衬底10具有预定波长的辐射的激光烧蚀。通过烧蚀功率，至少一个发光器件115很容易地从衬底10分离，并被转移到其它衬底第四衬底。为了进行激光烧蚀，如上所述，衬底10由容易传输激光的材料构成。[0149] 第八实施方式[〇15〇]图16是显示GaN基发光器件的配置的截面图。发光器件107包括第一电极111、半导体层145和第二电极112。从第一电极11侧开始，半导体层145由GaN:SiSi掺杂、GaN:SiSi掺杂、111631'1、41631'1:]\%]\%掺杂和631'1:]\%]\%掺杂构成。[0151] 其中生长半导体层145的的衬底未显示可以是蓝宝石、S1、SiC、GaN等的任何一种。衬底通过研磨或激光剥离去除，以在第一电极11侧形成光提取表面145a。[0152] 在半导体层145上，通过成膜、光刻和刻蚀形成第一电极11和第二电极12。通过如参考图3描述地刻蚀，包括In的InGaN的侧表面形成为斜坡相对于层叠方向的第一角。其它层的侧表面在层叠方向上的形成小于第一角度的接近垂直的角度。通过在分离过程中的刻蚀，半导体层145被分成多个发光器件107。[0153]第九实施方式[〇154]图17是显示作为半导体器件例如开关装置的HEMT高电子迀移率晶体管器件的配置的截面图。[0155] HEMT器件108包括衬底97上的作为半导体层345的GaN、AlN和AlInN层。在AlInN上提供源电极15s、栅极15g和漏极15d。[0156] 衬底97用于生长半导体层345,并且可以由任何蓝宝石、S1、SiC、GaN等中任一种构成。通过如参考图3描述地刻蚀，包括In的AlInN的侧表面345b形成为具有第一角的斜坡。通过在分离过程中刻蚀，半导体层345被分成多个发光器件101。[0157] HEMT器件是从平面观察具有几微米到几十微米的侧尺寸的微阶器件，并且包括具有1微米至几微米厚度的半导体层345。[〇158]其它实施方式[0159] 本技术不限于上述实施方式，并且可以产生其它各种实施方式。[〇16〇] 在上面的描述中，半导体器件的示例包括发光器件和HEMT器件。进一步，本技术可应用于其它包括In的半导体器件。[〇161] 在图11中的第五实施方式中，凹陷部243设置为发光器件105中的纹理结构，发光器件105包括具有第一角度的侧表面251和具有第二角的侧表面241。没有侧面具有角度中断argulardiscontinuity的发光器件其包括凹陷部作为纹理结构也在本技术中，不具有角中断的侧表面是本技术的特征结构。[0162] 本领域技术人员应该理解，只要在所附权利要求或其等同物的范围内，各种修改、组合、子组合和改变可以根据设计要求和其它因素发生。[0163] 也可以结合上述实施方式的特征的至少两个特征。[0164] 本公开可能具有以下配置。[0165] ⑴一种半导体器件，包括:[0166] 第一半导体层，通过在层叠方向上生长而形成并且包含In铟，具有主表面和以第一角度设置的侧表面，所述主表面是通过在层叠方向上生长形成的生长表面;和[0167] 第二半导体层，具有在所述层叠方向上以与所述第一角度不同的第二角度在原子层级连续设置在所述第一半导体层的所述侧表面上的侧表面，并且不包含In。[0168] ⑵根据上面的1所述的半导体器件，其中[0169] 所述第一半导体层和所述第二半导体层的所述各自的侧表面配置为在所述第一半导体层和所述第二半导体层的所述叠层方向上，所述第一角度大于所述第二角度。[0170] ⑶根据上面的1或⑵所述的半导体器件，其中[0171] 所述半导体器件进一步包括第一导电类型层、有源层和第二导电类型层，以及[〇172] 所述第一半导体层包括这三个层中的至少一个。[0173] ⑷根据上面的⑶所述的半导体器件，其中[0174] 所述第一半导体层包含AlGalnP或GalnP，并且[0175] 所述第二半导体层包含GaP。[0176] ⑶根据上面的⑶所述的半导体器件，其中[0177] 所述第一半导体层包含InGaN，并且[〇178] 所述第二半导体层包含GaN。[0179] ⑶根据⑶至⑶任何一个所述的半导体器件，其中[0180] 所述半导体器件进一步包括连接到所述第一导电类型层的第一接触层，[〇181] 所述第一半导体层包括所述第二导电类型层，并且[0182] 所述第二半导体层可以包括通过中间层连接到所述第二导电类型层或直接连接到所述第二导电类型层的第二接触层。[0183] ⑵根据⑶至⑶任何一个所述半导体器件，其中[0184] 所述第一半导体层包括所述第二导电类型层，并且[0185] 所述第二半导体层可包括通过中间层连接到所述第二导电类型层或直接连接到所述第二导电类型层的第二接触层，[0186] 所述半导体器件进一步包括[0187] 第一电极，连接到所述第一接触层，和[0188] 第二电极，连接到所述第二接触层。[0189] ⑶根据上面的⑶或⑵所述的半导体器件，进一步包括:[〇19〇] 绝缘层，覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的所述各自的侧表面，和[〇191] 金属层，设置在面对所述侧表面的所述绝缘层内。[0192] 9根据上面的⑶或⑵所述的半导体器件，其中[0193] 所述第二接触层包括与所述第二导电类型层的所述表面相对的所述光提取表面，并且[0194] 所述第二接触层和所述第二导电类型层具有从所述光提取表面到所述第二导电类型层连续形成而未达到所述有源层的凹陷部。[0195] 10根据上面的9所述的半导体器件，其中[0196] 所述凹陷部在包括所述第一半导体层中具有第三角度的第一内表面和在所述第二半导体层中具有不同于第一角度的第四角度的第二内表面。[0197] 11根据1至10任何一个所述的半导体器件，其中[0198] 在所述半导体器件的所述叠层方向上观察的垂直和水平长度是5微米至100微米。[0199] 12根据上面的11所述的半导体器件，其中[0200] 在所述半导体器件的所述层叠方向上观察的角部是圆形的。[0201] 13根据上面⑴所述的半导体器件，其中[〇2〇2] 所述第一半导体层包含AlInN，并且[〇2〇3] 所述第二半导体层包含AIN。[0204] 14根据⑶至13任何一个所述的半导体器件，其中[0205] 所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度大于通过将从所述有源层发射的光的波长除以折射率提供的值。[0206] 15—种半导体器件，包括:[0207] 第一半导体层，通过在层叠方向上生长包含In铟而形成;和[0208] 第二半导体层，在所述层叠方向上以原子层级连续叠层在所述第一半导体层上，所述第二半导体层不包含In，[0209] 所述第一半导体层和所述第二半导体层，具有在这些层上连续形成的凹陷部，[〇21〇] 所述凹陷部具有[0211] 第一内表面，在所述第一半导体层中相对于所述层叠方向具有第一角度，和[0212] 第二内表面，在所述第二半导体层中相对于所述层叠方向具有不同于所述第一角度的第二角度。[〇213] 16一种封装器件，包括:[0214] 衬底；[0215] 多个半导体器件，安装在所述衬底上;和[0216] 树脂密封部，设置在所述衬底上并覆盖多个所述半导体器件，[0217] 多个所述半导体器件的至少一个具有[0218] 第一半导体层，具有主表面和侧表面并且包含In铟，所述主表面是在层叠方向上生长而形成的生长表面，所述侧表面相对于所述层叠方向以第一角度设置，，和[0219] 第二半导体层，具有侧表面并且不包含In，所述侧表面在所述叠层方向上以不同于所述第一角度的第二角度以原子层级连续设置在所述第一半导体层的所述侧表面上。[〇22〇] 17—种发光面板装置，包括:[0221] 发光面板，包括衬底、安装在所述衬底上的多个发光器件和设置在所述衬底上覆盖多个所述发光器件的树脂密封部;和[〇222] 驱动电路，驱动所述发光面板，[0223] 多个所述发光器件的至少一个具有[0224] 第一半导体层，具有主表面和侧表面并且包含In铟，所述主表面是通过由在层叠方向上生长而形成的生长表面，所述侧表面相对于所述层叠方向以第一角度设置，和[0225] 第二半导体层，具有侧表面并且不包含In，所述侧表面在叠层方向上以不同于所述第一角度的第二角度以原子层级在所述第一半导体层的所述侧表面上连续设置。[0226] 18—种晶片，包括:[0227] 衬底和在所述衬底上规则地布置的多个半导体器件，[0228] 多个所述半导体器件的至少一个具有[0229] 第一半导体层，具有主表面和侧表面并且包含In铟，所述主表面是通过由在层叠方向上生长而形成的生长表面，所述侧表面相对于所述层叠方向以第一角度设置，和[0230] 第二半导体层，具有侧表面并且不包含In，所述侧表面在叠层方向上以不同于所述第一角度的第二角度以原子层级在所述第一半导体层的所述侧表面上连续设置。[0231] 19—种生产半导体器件的方法，包括:[0232] 通过层叠形成包含In铟的第一半导体层和不包含In的第二半导体层形成；[0233] 刻蚀所述第一半导体层和第二半导体层，从而所述第一半导体层的侧表面形成为具有第一角度，并且从而连续地设置在所述第一半导体层的侧表面上的所述第二半导体层的侧表面在所述层叠方向上以与所述第一角度不同的第二角度形成。[0234] 20根据上面的19所述的制造半导体器件的方法，其中[0235] 在所述刻蚀步骤中，执行各向异性刻蚀。[0236] 21根据上面的20所述的制造半导体器件的方法，其中[0237] 在所述第一半导体层和所述第二半导体层的所述层叠步骤中，所述第一半导体层已经晶体生长在第一衬底上，以在所述第一半导体层上晶体生长所述第二半导体层，[0238] 所述生成半导体器件的方法进一步包括:[0239] 从所述第一衬底的相对侧将所述第一和第二半导体层粘合到第二衬底;和[〇24〇] 在所述第二衬底粘合后，去除所述第一衬底，[0241] 在所述第一衬底去除后，执行所述各向异性刻蚀，从而从所述第一半导体层侧去除所述第一和第二半导体层至所述第二半导体层侧。[0242] 22根据上面的21的生产半导体器件的方法，其中[〇243] 在所述各向异性刻蚀后，包括所述第一和第二半导体层的器件层被转移到第三衬底上，并且[0244] 转移的器件层被分成多个半导体器件。[0245] 23根据上面的22的生产半导体器件的方法，其中[0246] 所述第三衬底由透射具有预定波长的激光的材料构成，以及[0247] 在分成多个半导体器件后，至少一个半导体器件利用具有预定波长的所述激光使用激光烧蚀方法被转移到第四衬底。[0248] 24—种半导体器件，包括:[0249] 第一半导体层，具有主表面和以第一角度设置的第一侧表面，其中所述主表面是在层叠方向上的生长表面;和[〇25〇] 第二半导体层，与所述第一半导体层相邻，具有从所述第一半导体层的所述第一侧表面以不同于所述第一角度的第二角度延伸的第二侧表面。[0251] 25根据上面的24所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层各自的所述第一侧表面和第二侧表面配置为使得相对于所述层叠方向所述第一角度大于所述第二角度。[0252] 26根据上面的24所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括第一导电类型层、有源层和第二导电类型层，并且所述第一半导体层包括所述第一导电类型层、所述有源层和所述第二导电类型层的至少一个。[0253] 27根据上面的26所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层包括AlGalnP或GalnP，并且所述第二半导体层包括GaP。[0254] 28根据上面的26所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层包括InGaN，并且所述第二半导体层包括GaN。[0255] 29根据上面的26所述的半导体器件，其中[0256] 所述半导体器件进一步包括第一接触层，所述第一接触层连接到所述第一导电类型层，[0257] 所述第一半导体层包括所述第二导电类型层，并且[0258] 所述第二半导体层包括第二接触层，所述第二接触层通过中间层连接到所述第二导电类型层或直接连接到所述第二导电类型层。[0259] 30根据上面的26所述的半导体器件，其中[0260] 所述第一半导体层包括所述第二导电类型层，并且[0261] 所述第二半导体层包括第二接触层，所述第二接触层通过中间层连接到所述第二导电类型层或直接连接到所述第二导电类型层，[0262] 所述半导体器件进一步包括连接到第一接触层的第一电极和连接到所述第二接触层的第二电极。[0263] 31根据上面的29所述的半导体器件，进一步包括:[〇264] 绝缘层，覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的各自的所述侧表面，和[0265] 金属层，面对所述侧表面设置在所述绝缘层内。[0266] 32根据上面的29所述的半导体器件，其中[0267] 所述第二接触层包括与所述第二导电类型层的所述表面相对的光提取表面，并且[0268] 所述第二接触层和所述第二导电类型层具有从所述光提取表面延伸到所述第二导电类型层中的凹陷特征。[0269] 33根据上面的32所述的半导体器件，其中，所述凹陷特征具有第一内表面和第二内表面，所述第一内表面在所述第一半导体层中具有第三角度，所述第二内表面在所述第二半导体层中具有不同于所述第一角度的第四角度。[0270] 34根据上面的24所述的半导体器件，其中，所述半导体器件在与所述层叠方向垂直的尺寸在从5微米到100微米的范围内。[0271] 35根据上面的34所述的半导体器件，其中，当在所述层叠方向观察时，在所述半导体器件的外围的角是圆形的。[0272] 36根据上面的24所述的半导体器件，其中[0273] 所述第一半导体层包括AlInN，并且[〇274] 所述第二半导体层包括AIN。[0275] 37根据上面的26所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度大于通过将从所述有源层发射的光的波长除以各个层的折射率所提供的值。[0276] 38—种半导体器件，包括:[0277] 第一半导体层;和[0278] 第二半导体层，在层叠方向上形成在所述第一半导体层上，其中[〇279] 所述第一半导体层和所述第二半导体层具有形成在各个所述层中的凹陷部，并且[〇28〇] 所述凹陷部具有第一内表面和第二内表面，所述第一内表面在所述第一半导体层中相对于所述层叠方向具有第一角度，所述第二内表面在所述第二半导体层中具有与所述第一角度不同的第二角度。[0281] 39—种封装器件，包括:[〇282]衬底；[0283] 多个半导体器件，安装在所述衬底上的；和[0284] 树脂密封部，设置在所述衬底上，并覆盖至少一些所述多个半导体器件，其中[0285] 所述多个半导体器件中的至少一个包括:第一半导体层，具有垂直于层叠方向的主表面和相对于所述层叠方向以第一角度设置的侧表面，以及[0286] 第二半导体层，与所述第一半导体层相邻，具有以不同于所述第一角度的第二角度从所述第一半导体层的所述侧表面延伸的侧表面。[〇287] 40—种发光面板装置，包括:[0288] 发光面板，包括衬底、安装在所述衬底上的多个发光器件和设置在所述衬底上的树脂密封部，所述树脂密封部覆盖所述多个发光器件中的至少一些；以及[0289] 驱动电路，驱动所述发光面板，其中[0290] 所述多个发光器件中的至少一个包括:第一半导体层，具有垂直于层叠方向的主表面和相对于所述层叠方向以第一角度设置的侧表面，和[0291] 第二半导体层，与所述第一半导体层相邻，具有从所述第一半导体层的所述侧表面以不同于所述第一角度的第二角度延伸的侧表面。[0292] 41—种晶片，包括:[0293] 衬底和规则地布置在所述衬底上的多个半导体器件，所述多个半导体器件中的至少一个具有[0294] 第一半导体层，具有垂直于层叠方向的主表面和相对于所述层叠方向以第一角度设置的侧表面;和[0295] 第二半导体层，与所述第一半导体层相邻，具有以不同于所述第一角度的第二角度从所述第一半导体层的所述侧表面延伸的侧表面。[0296] 42—种生产半导体器件的方法，包括:[0297] 外延生长第一半导体层；[0298] 在生长方向上外延生长与所述第一半导体层相邻的第二半导体层;和[〇299] 刻蚀所述第一半导体层或所述第二半导体层的至少一个，从而所述第一半导体层的侧表面相对于所述生长方向具有第一角度，并且从而所述第二半导体层的侧表面具有不同于所述第一角度的第二角度。[0300] 43根据上面的32所述的生产半导体器件的方法，其中，所述刻蚀包括各向异性刻蚀。[0301] 44根据上面的24所述的半导体器件，进一步包括:[〇3〇2] 绝缘层，覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层，[0303] 第一接触层，形成在所述第一半导体层上，[0304] 第二接触层，形成在第二导电类型层下面，和[0305] 端子电极，通过所述第一接触层形成在所述第一半导体层上。[0306] 45根据上面的24所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。[0307] 46根据上面的24所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层是外延层。[0308] 47根据上面的38所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。[0309] 48根据上面的38所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层是外延层。[0310] 49根据上面的39所述的封装器件，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。[0311] 50根据上面的39所述的封装器件，其中，所述第一半导体层是外延层。[0312] 51根据上面的40所述的发光面板装置，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。[0313] 52根据上面的40所述的发光面板装置，其中，所述第一半导体层是外延层。[0314] 53根据上面的41所述的晶片，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。[0315] 54根据上面的41所述的晶片，其中，所述第一半导体层是外延层。[0316] 55根据上面的42所述的方法，其中，外延生长的所述第一半导体层包括生长所述第一半导体层以包含铟，并且其中外延生长所述第二半导体层包括生长所述第二半导体层以不包含铟。[0317] [附图标记列表][0318] 11，111第一电极[0319] 12、112第二电极[0320] 21第一导电类型层[0321] 22第二导电类型层[0322] 23有源层[0323] 24接触层[0324] 25、145、245、345半导体层[0325] 33绝缘层[0326] 35金属层[0327] 50树脂密封部[〇328] 95发光面板[0329] 100发光面板装置[0330] 101至107发光器件[0331] 108HEMT器件[0332] 205RGB封装器件[0333] 145b、241、251、345b侧表面[0334] 242光提取表面[0335] 243a第一内表面[0336] 243b第二内表面[0337] 243凹陷部

权利要求：1.一种半导体器件，包括:第一半导体层，具有主表面和以第一角度设置的第一侧表面，其中所述主表面是在层叠方向上的生长表面;和第二半导体层，与所述第一半导体层相邻，具有从所述第一半导体层的所述第一侧表面以不同于所述第一角度的第二角度延伸的第二侧表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层各自的所述第一侧表面和第二侧表面配置为使得相对于所述层叠方向所述第一角度大于所述第二角度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括第一导电类型层、有源层和第二导电类型层，并且所述第一半导体层包括所述第一导电类型层、所述有源层和所述第二导电类型层的至少一个。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层包括AlGalnP或GalnP，并且所述第二半导体层包括GaP。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层包括InGaN，并且所述第二半导体层包括GaN。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体器件进一步包括第一接触层，所述第一接触层连接到所述第一导电类型层，所述第一半导体层包括所述第二导电类型层，并且所述第二半导体层包括第二接触层，所述第二接触层通过中间层连接到所述第二导电类型层或直接连接到所述第二导电类型层。7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一半导体层包括所述第二导电类型层，并且所述第二半导体层包括第二接触层，所述第二接触层通过中间层连接到所述第二导电类型层或直接连接到所述第二导电类型层，所述半导体器件进一步包括连接到第一接触层的第一电极和连接到所述第二接触层的第二电极。8.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括:绝缘层，覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的各自的所述侧表面，和金属层，面对所述侧表面设置在所述绝缘层内。9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二接触层包括与所述第二导电类型层的所述表面相对的光提取表面，并且所述第二接触层和所述第二导电类型层具有从所述光提取表面延伸到所述第二导电类型层中的凹陷特征。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述凹陷特征具有第一内表面和第二内表面，所述第一内表面在所述第一半导体层中具有第三角度，所述第二内表面在所述第二半导体层中具有不同于所述第一角度的第四角度。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件在与所述层叠方向垂直的尺寸在从5微米到100微米的范围内。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，当在所述层叠方向观察时，在所述半导体器件的外围的角是圆形的。13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体层包括A1InN，并且所述第二半导体层包括AIN。14.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度大于通过将从所述有源层发射的光的波长除以各个层的折射率所提供的值。15.—种半导体器件，包括:第一半导体层;和第二半导体层，在层叠方向上形成在所述第一半导体层上，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层具有形成在各个所述层中的凹陷部，并且所述凹陷部具有第一内表面和第二内表面，所述第一内表面在所述第一半导体层中相对于所述层叠方向具有第一角度，所述第二内表面在所述第二半导体层中具有与所述第一角度不同的第二角度。16.—种封装器件，包括:衬底；多个半导体器件，安装在所述衬底上的;和树脂密封部，设置在所述衬底上，并覆盖至少一些所述多个半导体器件，其中所述多个半导体器件中的至少一个包括:第一半导体层，具有垂直于层叠方向的主表面和相对于所述层叠方向以第一角度设置的侧表面，以及第二半导体层，与所述第一半导体层相邻，具有以不同于所述第一角度的第二角度从所述第一半导体层的所述侧表面延伸的侧表面。17.—种发光面板装置，包括:发光面板，包括衬底、安装在所述衬底上的多个发光器件和设置在所述衬底上的树脂密封部，所述树脂密封部覆盖所述多个发光器件中的至少一些；以及驱动电路，驱动所述发光面板，其中所述多个发光器件中的至少一个包括:第一半导体层，具有垂直于层叠方向的主表面和相对于所述层叠方向以第一角度设置的侧表面，和第二半导体层，与所述第一半导体层相邻，具有从所述第一半导体层的所述侧表面以不同于所述第一角度的第二角度延伸的侧表面。18.一种晶片，包括:衬底和规则地布置在所述衬底上的多个半导体器件，所述多个半导体器件中的至少一个具有第一半导体层，具有垂直于层叠方向的主表面和相对于所述层叠方向以第一角度设置的侧表面;和第二半导体层，与所述第一半导体层相邻，具有以不同于所述第一角度的第二角度从所述第一半导体层的所述侧表面延伸的侧表面。19.一种生产半导体器件的方法，包括:外延生长第一半导体层；在生长方向上外延生长与所述第一半导体层相邻的第二半导体层;和刻蚀所述第一半导体层或所述第二半导体层的至少一个，从而所述第一半导体层的侧表面相对于所述生长方向具有第一角度，并且从而所述第二半导体层的侧表面具有不同于所述第一角度的第二角度。20.根据权利要求19所述的生产半导体器件的方法，其中，所述刻蚀包括各向异性刻蚀。21.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括:绝缘层，覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层，第一接触层，形成在所述第一半导体层上，第二接触层，形成在第二导电类型层下面，和端子电极，通过所述第一接触层形成在所述第一半导体层上。22.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。23.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层是外延层。24.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。25.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层是外延层。26.根据权利要求16所述的封装器件，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。27.根据权利要求16所述的封装器件，其中，所述第一半导体层是外延层。28.根据权利要求17所述的发光面板装置，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。29.根据权利要求17所述的发光面板装置，其中，所述第一半导体层是外延层。30.根据权利要求18所述的晶片，其中，所述第一半导体层包含铟，并且所述第二半导体层不包含铟。31.根据权利要求18所述的晶片，其中，所述第一半导体层是外延层。32.根据权利要求19所述的方法，其中，外延生长所述第一半导体层包括生长所述第一半导体层以包含铟，并且其中外延生长所述第二半导体层包括生长所述第二半导体层以不包含铟。

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