申请/专利权人：中芯长电半导体(江阴)有限公司

申请日：2019-09-30

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN211045375U

主分类号：H01L21/56(20060101)

分类号：H01L21/56(20060101);H01L23/31(20060101);H01L23/485(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.17#授权

摘要：本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，包括：待封装芯片；贴片膜，位于待封装芯片的所述第一表面，所述第一表面与所述贴片膜相接触；导电柱，形成于待封装芯片的第二表面；封装层，封装层及贴片膜将待封装芯片包覆；重新布线层与所述导电柱电连接；金属凸块，通过重新布线层及导电柱实现待封装芯片的电性引出。本实用新型采用先进行贴片，再进行重新布线层制备的方式，在扇出型晶圆级封装中，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性，采用锡膏印刷或者植球的方式形成金属凸块，减少制程的复杂性。

主权项：1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：待封装芯片，所述待封装芯片具有相对的第一表面及第二表面；贴片膜，位于所述待封装芯片的所述第一表面，所述第一表面与所述贴片膜相接触；导电柱，形成于所述待封装芯片的第二表面，并与所述待封装芯片电连接；封装层，形成于所述待封装芯片的第二表面并延伸至所述待封装芯片的侧部，且所述导电柱的顶面显露于所述封装层，所述封装层及所述贴片膜将所述待封装芯片包覆；重新布线层，形成于所述封装层上，所述重新布线层与所述导电柱电连接；以及金属凸块，形成于所述重新布线层远离所述封装层的一侧，所述金属凸块通过所述重新布线层及所述导电柱实现所述待封装芯片的电性引出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯长电半导体(江阴)有限公司 晶圆级芯片封装结构

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