申请/专利权人:意法半导体(R&D)有限公司
申请日:2019-11-29
公开(公告)日:2020-07-17
公开(公告)号:CN211044058U
主分类号:G05F3/26(20060101)
分类号:G05F3/26(20060101)
优先权:["20181130 EP 18209521.6"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2020.07.17#授权
摘要:本实用新型涉及控制跨单光子雪崩二极管施加的电压的装置和电子设备。在本实用新型的实施例中,一种用于控制跨单光子雪崩二极管的电压的方法包括:基于穿过单光子雪崩二极管流动的电流提供输出;以及基于所提供的输出,控制跨单光子雪崩二极管施加的电压。
主权项:1.一种控制跨单光子雪崩二极管施加的电压的装置,其特征在于,所述装置包括:测量电路,被配置为基于穿过所述单光子雪崩二极管流动的电流来提供输出;以及电压设置电路,被配置为基于提供的所述输出,控制跨所述单光子雪崩二极管施加的所述电压。
全文数据:
权利要求:
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