申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日:2019-01-17
公开(公告)日:2020-07-24
公开(公告)号:CN111446204A
主分类号:H01L21/768(20060101)
分类号:H01L21/768(20060101);H01L23/48(20060101);H01L23/528(20060101);H01L23/535(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.02.06#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开
摘要:一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括第一导电层以及位于第一导电层上的刻蚀停止材料层;在刻蚀停止材料层上形成缓冲材料层;在缓冲材料层上形成第二介电层,缓冲材料层的C含量少于第二介电层中的C含量;刻蚀第二介电层,形成露出缓冲材料层的开口;刻蚀缓冲材料层,形成缓冲层;刻蚀缓冲层露出的刻蚀停止材料层,形成露出第一导电层的沟槽,剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层,沟槽的侧壁包括刻蚀停止层的侧壁和缓冲层的侧壁;填充开口和沟槽,形成第二导电层。在刻蚀缓冲材料层,形成缓冲层的过程中,不易产生聚合物杂质,形成的沟槽侧壁与第一导电层上表面的夹角更小,优化了半导体结构的电学性能。
主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括第一介电层、位于所述第一介电层内的第一导电层以及位于所述第一介电层和第一导电层上的刻蚀停止材料层;在所述刻蚀停止材料层上形成缓冲材料层;在所述缓冲材料层上形成第二介电层,其中,所述缓冲材料层的C含量少于所述第二介电层中的C含量;刻蚀所述第二介电层,形成露出所述缓冲材料层的开口;刻蚀所述开口露出的所述缓冲材料层,形成缓冲层;刻蚀所述缓冲层露出的刻蚀停止材料层,形成露出所述第一导电层的沟槽,剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层,所述沟槽的侧壁包括所述刻蚀停止层的侧壁和缓冲层的侧壁;填充所述开口和沟槽,形成第二导电层。
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