申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2020-01-09

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446143A

主分类号：H01J37/32(20060101)

分类号：H01J37/32(20060101)

优先权：["20190117 JP 2019-006074"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.11.19#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本发明提供一种改善因自由基或气体产生的静电吸附部的损耗的技术。本发明的等离子体处理装置的上部电极结构具备：电极板，形成有沿厚度方向贯穿的气体吐出孔；气板，将处理气体供应至气体吐出孔的气体流路形成为在与气体吐出孔相向的位置沿厚度方向延伸；静电吸附部，介于电极板与气板之间且具有与气板的下表面接触的接触面和吸附电极板的上表面的吸附面；及屏蔽结构，屏蔽从气体吐出孔向电极板与气板之间移动的自由基或气体。

主权项：1.一种上部电极结构，其为等离子体处理装置的上部电极结构，其具备：电极板，形成有沿厚度方向贯穿的气体吐出孔；气板，将处理气体供应至所述气体吐出孔的气体流路形成为在与所述气体吐出孔相向的位置沿厚度方向延伸；静电吸附部，介于所述电极板与所述气板之间，且具有与所述气板的下表面接触的接触面和吸附所述电极板的上表面的吸附面；及屏蔽结构，屏蔽从所述气体吐出孔向所述电极板与所述气板之间移动的自由基或气体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 上部电极结构、等离子体处理装置及组装上部电极结构的方法

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