申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-01-17

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446255A

主分类号：H01L27/11524(20170101)

分类号：H01L27/11524(20170101);H01L27/11529(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L21/56(20060101);H01L23/31(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.16#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：公开了一种存储器件及其制造方法，所述器件包括：衬底，所述衬底包括器件区和切割区，所述切割区位于所述器件区的一侧；位于所述衬底上的存储单元，所述存储单元位于所述器件区；覆盖部分所述存储单元和切割区的填充层；以及位于所述填充层中的空腔。本申请的存储器件，通过在填充层中形成空腔，从而释放填充层的应力，避免了因填充层应力过大而导致的晶片翘曲度难以控制和存储单元中沟道孔对准校验偏移的问题，提高了器件的良率和可靠性。

主权项：1.一种存储器件，包括：衬底，所述衬底包括器件区和切割区，所述切割区位于所述器件区的一侧；位于所述衬底上的存储单元，所述存储单元位于所述器件区；覆盖部分所述存储单元和切割区的填充层；以及位于所述填充层中的空腔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器件及其制造方法

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