申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-01-17

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446364A

主分类号：H01L49/02(20060101)

分类号：H01L49/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.16#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成第一反应层；对所述第一反应层和第一电极层进行第一处理，使所述第一反应层和部分厚度第一电极层的材料之间相互反应，将所述第一反应层和部分厚度的第一电极层转化为形成于剩余所述第一电极层上的第二电极层；在第二电极层上形成电容介质层；在电容介质层上形成第三电极层。本发明在第一处理的过程中，第一反应层和第一电极层的材料之间相互扩散并发生反应，当第一电极层表面形成有凹坑时，所形成的第二电极层材料还会填充至该凹坑中，使第二电极层的表面平坦度较高，从而改善尖端漏电的问题，进而改善包含有电容结构的半导体器件。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成第一反应层；对所述第一反应层和第一电极层进行第一处理，使所述第一反应层和部分厚度第一电极层的材料之间相互反应，将所述第一反应层和部分厚度的第一电极层转化为形成于剩余所述第一电极层上的第二电极层；在所述第二电极层上形成电容介质层；在所述电容介质层上形成第三电极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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