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【发明公布】半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_201910045514.1 

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日:2019-01-17

公开(公告)日:2020-07-24

公开(公告)号:CN111446211A

主分类号:H01L21/8234(20060101)

分类号:H01L21/8234(20060101);H01L27/088(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.10.04#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要:一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括衬底和多个分立于衬底上的鳍部,鳍部顶部形成有掩膜层,鳍部露出的衬底上形成有露出掩膜层顶部的介质材料层,基底包括图形稀疏区和图形密集区,图形密集区上的鳍部分布密度高于图形稀疏区中的鳍部分布密度;去除部分厚度的介质材料层,形成初始介质层,覆盖掩膜层的部分侧壁;去除掩膜层,鳍部与初始介质层围成凹槽;形成填充凹槽的填充层;采用各向同性干法刻蚀工艺刻蚀填充层和初始介质层,形成介质层,介质层露出部分高度的鳍部。本发明实施例消除了凹槽侧壁对图形密集区和图形稀疏区刻蚀速率的影响,降低了半导体结构发生差异问题的概率,优化了半导体结构的性能。

主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括衬底和多个分立于所述衬底上的鳍部,所述鳍部顶部形成有掩膜层,所述鳍部露出的衬底上形成有介质材料层,所述介质材料层露出所述掩膜层的顶部,所述基底包括图形稀疏区和图形密集区,图形密集区上的所述鳍部分布密度高于图形稀疏区中的所述鳍部分布密度;去除部分厚度的所述介质材料层,形成初始介质层,所述初始介质层覆盖所述掩膜层的部分侧壁;去除所述掩膜层,所述鳍部与所述初始介质层围成凹槽;形成填充所述凹槽的填充层;采用各向同性干法刻蚀工艺刻蚀所述填充层和初始介质层,形成介质层,所述介质层露出部分高度的所述鳍部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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