申请/专利权人：三菱电机株式会社

申请日：2020-01-10

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446244A

主分类号：H01L27/082(20060101)

分类号：H01L27/082(20060101)

优先权：["20190116 JP 2019-005029"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本发明提供能够对导线接合区域的中心部的发热量进行抑制的半导体装置。半导体装置100在单元区域101内具有多个IGBT单元。发射极电极10是在多个IGBT单元导通时成为电流路径的表面电极，形成为将多个IGBT单元覆盖。导线10a与发射极电极10接合。至少在发射极电极10和导线10a接合的区域即导线接合区域30的中心部的下方形成有不进行双极动作的哑单元。

主权项：1.一种半导体装置，其具有：多个晶体管单元，它们形成于半导体层；电流电极，其形成为将所述多个晶体管单元覆盖，该电流电极在所述多个晶体管单元导通时成为电流路径；导线，其与所述电流电极接合；以及哑单元，其在所述半导体层，至少形成于所述导线与所述电流电极接合的区域即导线接合区域的中心部的下方，该哑单元不进行双极动作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置

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