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【发明公布】具有凹槽结构的薄膜磁传感器_上海交通大学_202010272633.3 

申请/专利权人:上海交通大学

申请日:2020-04-09

公开(公告)日:2020-07-24

公开(公告)号:CN111443314A

主分类号:G01R33/05(20060101)

分类号:G01R33/05(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-未缴年费专利权终止

法律状态:2023.03.17#未缴年费专利权终止;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要:一种具有凹槽结构的薄膜磁传感器,其特点是在两层矩形磁性膜之间设置一矩形的螺旋线圈构成,所述的矩形的螺旋线圈整体为平面螺旋结构;所述的矩形的螺旋线圈从矩形内部某一位置处顺时针或者逆时针螺旋绕出;所述的两层矩形磁性膜的内表面均有多组与其传感方向即待测磁场方向,通常为薄膜长度方向垂直的矩形的凹槽,该矩形的凹槽的组数与所述的矩形的螺旋线圈的匝数相等;所述的两层矩形磁性膜的矩形凹槽相对,将所述的矩形的螺旋线圈中与传感方向垂直的导体嵌入所述的矩形磁性膜的内部。本发明有效提高了薄膜磁传感器对外磁场的灵敏度。

主权项:1.一种具有凹槽结构的薄膜磁传感器,其特征是在两层矩形磁性膜2之间设置一矩形的螺旋线圈1构成,所述的矩形的螺旋线圈1整体为平面螺旋结构;所述的矩形的螺旋线圈1从矩形内部某一位置处顺时针或者逆时针螺旋绕出;所述的两层矩形磁性膜2的内表面均有多组与其传感方向即待测磁场方向,通常为薄膜长度方向垂直的矩形的凹槽3,该矩形凹槽3的组数与所述的矩形的螺旋线圈1的匝数相等;所述的两层矩形磁性膜2的矩形凹槽3相对,将所述的矩形的螺旋线圈1中与传感方向垂直的导体嵌入所述的矩形磁性膜2的内部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海交通大学 具有凹槽结构的薄膜磁传感器

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