申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-04-14

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446271A

主分类号：H01L27/24(20060101)

分类号：H01L27/24(20060101);G11C13/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本发明公开了一种存储单元结构及存储器阵列结构、电压偏置方法，其中，存储单元结构包括：衬底层、阱层和晶体管，衬底层用于支撑存储单元结构；阱层嵌设于衬底层上，阱层的上表面与衬底层的上表面持平，晶体管设置于阱层上。本发明通过对存储单元结构进行了深阱偏置，使得存储单元的阱电压可以单独偏置为特定的电压，结合重新设计的存储单元阵列结构，将施加的编程电压大部分落在存储单元结构上，实现了对存储单元的编程电压的降低，同时可以避免选通晶体管因承受过大电压而被击穿，从而确保器件更好的可靠性以及存储单元阵列结构的面积效率更高。

主权项：1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：衬底层，用于为所述存储单元结构提供支撑；阱层，嵌设于所述衬底层，所述阱层的上表面与所述衬底层的上表面持平；以及晶体管，设置于所述阱层内部及表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 存储单元结构及存储器阵列结构、电压偏置方法

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