申请/专利权人：日本电产理德股份有限公司

申请日：2018-11-26

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111448678A

主分类号：H01L43/00(20060101)

分类号：H01L43/00(20060101);G01R33/02(20060101);H01F41/04(20060101);H01L43/12(20060101)

优先权：["20171208 JP 2017-236346"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：MI元件1的制造方法包括：绝缘步骤，在非晶线2的外周形成绝缘体层3；无电解镀敷步骤，在绝缘体层3的外周面形成无电解镀敷层4；电解镀敷步骤，在无电解镀敷层4的外周面形成电解镀敷层5；抗蚀剂步骤，在电解镀敷层5的外周面形成抗蚀剂层R；曝光步骤，以激光对抗蚀剂层R进行曝光，而在抗蚀剂层R的外周面形成螺旋状的沟道部GR；以及蚀刻步骤，将抗蚀剂层R作为遮盖材而进行蚀刻，去除沟道部GR中的无电解镀敷层4及电解镀敷层5，从而由残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成线圈6。

主权项：1.一种磁阻抗元件的制造方法，包括：绝缘步骤，在非晶线的外周形成绝缘体层；无电解镀敷步骤，在所述绝缘体层的外周面形成无电解镀敷层；电解镀敷步骤，在所述无电解镀敷层的外周面形成电解镀敷层；抗蚀剂步骤，在所述电解镀敷层的外周面形成抗蚀剂层；曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面形成螺旋状的沟道部；以及蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖材而进行蚀刻，去除所述沟道部中的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层，由此由残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成线圈。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日本电产理德股份有限公司 MI元件的制造方法及MI元件

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