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【发明公布】一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构_中国科学院上海技术物理研究所_202010324647.5 

申请/专利权人:中国科学院上海技术物理研究所

申请日:2020-04-23

公开(公告)日:2020-07-24

公开(公告)号:CN111446304A

主分类号:H01L31/02(20060101)

分类号:H01L31/02(20060101);H01L31/101(20060101);H01L31/18(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要:本发明公开了一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构,该结构是由凸起子铟体的列阵芯片和凹陷母铟体的列阵芯片通过对准嵌合,形成铟互连。凸起子铟体是在红外材料芯片上制备的铟柱列阵,凹陷母铟体是在硅集成电路或宝石电路芯片上制备的铟柱列阵。本发明的优点是:红外材料芯片与硅集成电路或宝石电路芯片通过子母铟体嵌合达到铟互连,压力小,互连紧密,连通率高。该发明很好的解决了红外焦平面探测器铟混成互连的断层问题,而且可以更好的满足多元器件铟互连要求。

主权项:1.一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构,包括:芯片列阵上的凸起子铟体1、硅集成电路列阵或宝石电路列阵上的凹陷母铟体2,其特征在于:所说的芯片列阵上的凸起子铟体1为柱状铟列阵,其直径10-14微米,长度10微米:所说的硅集成电路列阵或宝石电路列阵上的凹陷母铟体2为为柱状铟列阵,其直径20-25微米,长度15微米,柱中间有锥状孔;芯片列阵上的凸起子铟体1和硅集成电路列阵或宝石电路列阵上的凹陷母铟体2通过自动器件倒焊设备对准接插形成嵌合式铟互连结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院上海技术物理研究所 一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构

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