申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-12-25

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446205A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101)

优先权：["20190117 US 62/793,766","20190513 US 16/410,787"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.31#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本公开提出一种用于集成电路的互连件及其形成方法。形成用于集成电路的互连件的方法，包含：标识互连件势垒材料；标识多种潜在掺杂元素；形成包含互连件势垒材料的潜在势垒结构的集合体，互连件势垒材料在多个掺杂位置处且以多种潜在掺杂元素中的每一种的多个掺杂量掺杂；计算集合体的势垒结构中的每一个的态密度；基于态密度来选择掺杂元素和掺杂量；以及沉积包含合金的势垒层，合金包含互连件势垒材料和在所选掺杂量下的所选掺杂元素。本公开的互连件可降低导电金属势垒界面的电阻率和导电金属势垒堆叠的垂直电阻率。

主权项：1.一种用于集成电路的互连件，包括：层间介电层，具有沟槽；势垒层，在所述层间介电层上且覆盖所述沟槽的壁；以及导电金属层，在所述势垒层上和所述沟槽内部，其中所述势垒层包括合金，所述合金包括互连件势垒材料和掺杂元素，且其中所述合金的态密度比所述互连件势垒材料的态密度大至少50％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 用于集成电路的低电阻率互连件及其形成方法

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