申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2020-02-27

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446623A

主分类号：H01S5/34(20060101)

分类号：H01S5/34(20060101);H01S5/042(20060101);H01S5/20(20060101);H01S5/22(20060101);H01S5/30(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.05.11#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本发明公开了一种三端式S型环形量子级联激光器，该激光器包括由下至上依次设置的衬底、集电极、量子级联结构层、量子能级匹配层、基极、发射极，发射极与基极之间、量子级联结构层与集电极之间均有阶梯状设置；该激光器还包括设置于集电极顶部或衬底下方的集电极电极、设置于基极顶部的基极电极、设置于发射极顶部的发射极电极。激光器上还刻蚀有S型环形波导和与S型环形波导耦合的条形直波导，条形直波导包括输入段和耦合段。该三端式S型环形量子级联激光器设计简单、可调谐特性好、可多波长或宽谱或混沌激光或频率梳输出，且能够有效降低广泛中红外、太赫兹应用中中红外、太赫兹源的应用成本。

主权项：1.一种三端式S型环形量子级联激光器，其特征在于：该激光器包括由下至上依次设置的衬底7、集电极8、量子级联结构层9、量子能级匹配层10、基极11、发射极12，所述集电极8与量子级联结构层9之间、所述基极11与发射极12之间均有阶梯状设置；所述三端式S型环形量子级联激光器还包括设置于集电极8顶部或衬底7下方的集电极电极13、设置于基极11顶部的基极电极14、设置于发射极12顶部的发射极电极15；所述激光器上还刻蚀有S型环形波导19和与所述S型环形波导19耦合的条形直波导18，S型环形波导19和条形直波导18的刻蚀深度为从发射极顶部至基极11顶部、量子能级匹配层10顶部、量子级联结构层9顶部或集电极8顶部的任意深度，其中，S型环形波导19的环形区域内或环形区域外至少有一侧刻蚀深度为仅从发射极顶部至基极顶部，所述条形直波导18包括输入段17和耦合段16；所述量子级联结构层9由至少两个结构相同的QCL堆栈单元串联堆栈而成，所述QCL堆栈单元包括至少两种结构相同的QCL子单元，每种所述QCL子单元均由有源区和注入区组成，所述注入区包括若干段掺杂区，不同种所述QCL子单元之间至少有一段掺杂区的掺杂浓度参数不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种三端式S型环形量子级联激光器

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