申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2018-11-29

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111448613A

主分类号：G11C14/00(20060101)

分类号：G11C14/00(20060101);G11C11/16(20060101);G11C11/412(20060101)

优先权：["20171212 JP 2017-237980"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.25#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：半导体电路设有：第一电路，能够将第一节点的电压的反相电压施加到第二节点；第二电路，能够将第二节点的电压的反相电压施加到第一节点；第一晶体管，能够将第一节点连接到第三节点；第一存储器元件，包括连接到第三节点的第一端子和要被施加控制电压的第二端子；第二晶体管，包括要被施加第一电压的源极、连接到第三节点的漏极和连接到第一预定节点的栅极，所述第一预定节点是第一节点和第二节点中的一个；第三晶体管，包括要被施加第二电压的源极、连接到第三节点的漏极和连接到第二预定节点的栅极，所述第二预定节点是第一节点和第二节点中的另一个；和驱动器。

主权项：1.一种半导体电路，包括：第一电路，被配置为能够生成第一节点处的电压的反相电压，并将该反相电压施加到第二节点；第二电路，被配置为能够生成所述第二节点处的电压的反相电压，并将该反相电压施加到所述第一节点；第一晶体管，被配置为能够通过被接通而将所述第一节点耦接到第三节点；第一存储器元件，具有耦接到所述第三节点的第一端子和要被施加控制电压的第二端子，并被允许处于第一电阻状态或第二电阻状态；第二晶体管，具有要被施加第一电压的源极、耦接到所述第三节点的漏极和耦接到第一预定节点的栅极，所述第一预定节点是所述第一节点和所述第二节点中的一个；第三晶体管，具有要被施加第二电压的源极、耦接到所述第三节点的漏极和耦接到第二预定节点的栅极，所述第二预定节点是所述第一节点和所述第二节点中的另一个；和驱动器，被配置为能够控制所述第一晶体管的操作并设置所述控制电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体电路和半导体电路系统

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