申请/专利权人：浜松光子学株式会社

申请日：2018-11-28

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111448725A

主分类号：H01S5/18(20060101)

分类号：H01S5/18(20060101)

优先权：["20171208 JP 2017-236198","20180314 JP 2018-047102","20180608 JP 2018-110112","20180613 JP PCT/JP2018/022609"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.31#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本实施方式涉及一种分别关联的不同折射率区域的重心位置与晶格点的位置关系与现有的发光装置不同的发光装置及其制造方法。在该发光装置中，在基板上设置有包含发光部和与该发光部光学耦合的相位调制层的层叠体。相位调制层包含基本层和设置于该基本层内的多个不同折射率区域。各不同折射率区域的重心位置配置于通过设定于基本层的设计面上的假想的正方晶格的晶格点中的对应的基准晶格点的假想直线上。另外，基准晶格点与不同折射率区域的重心的沿该假想直线的距离以从该发光装置输出形成光学图像的光的方式对多个不同折射率区域的各个个别地设定。

主权项：1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，是包含具有主面的基板，并且沿所述主面的法线方向以及相对于所述法线方向倾斜的倾斜方向中的至少一者的方向输出形成光学图像的光的发光装置的制造方法，具备：准备工序，其准备所述基板；以及层叠工序，其将发光部和与所述发光部光学耦合的相位调制层设置于所述基板上，所述层叠工序包含：第一工序，其将具有规定的折射率并且构成所述相位调制层的一部分的基本层设置于所述基板上；以及第二工序，其在由所述第一工序设置的所述基本层内设置具有与所述基本层的折射率不同的折射率的多个不同折射率区域，所述第二工序包含：第一设定工序，其在正交于所述法线方向的所述基本层的设计面上，设定由分别互相平行地配置的多个第一基准线和在分别正交于所述多个第一基准线的状态下互相平行地配置的多个第二基准线规定的假想的正方晶格；第二设定工序，其特定所述多个第一基准线的任一者与所述多个第二基准线的任一者的交点来作为所述正方晶格的晶格点中的成为从所述多个不同折射率区域选择的不同折射率区域的配置基准的基准晶格点；第三设定工序，其在所述基本层的所述设计面上，设定通过所述基准晶格点且相对于在所述基准晶格点正交的第一基准线或第二基准线具有规定的倾斜角度，并且配置有所述选择的不同折射率区域的重心的假想直线；第四设定工序，其在所述基本层的所述设计面上，以输出形成所述光学图像的光的至少一部分的方式，设定从所述基准晶格点到所述选择的不同折射率区域的重心的所述假想直线上的距离；以及区域形成工序，其相对于所述多个不同折射率区域的各个进行所述第二～第四设定工序，在所述基本层内形成所述多个不同折射率区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浜松光子学株式会社 发光装置及其制造方法

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