申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2018-11-26

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111448669A

主分类号：H01L29/786(20060101)

分类号：H01L29/786(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L27/108(20060101);H01L27/11551(20060101);H01L27/1156(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/49(20060101);H01L29/788(20060101);H01L29/792(20060101)

优先权：["20171207 JP 2017-235307","20180223 JP 2018-030371"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：提供一种具有良好的电特性的半导体装置。半导体装置包括导电体、与导电体的侧面接触的第一绝缘体、与导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体以及第二绝缘体上的氧化物，氧化物具有隔着第二绝缘体与导电体重叠的区域，导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度Rz为6.0nm以下，区域包含结晶，结晶的c轴取向于导电体的顶面的法线方向。

主权项：1.一种半导体装置，包括：导电体；与所述导电体的侧面接触的第一绝缘体；与所述导电体的顶面及所述第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体；以及所述第二绝缘体上的氧化物，其中，所述氧化物具有隔着所述第二绝缘体与所述导电体重叠的区域，所述导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度Rz为6.0nm以下，所述区域包含结晶，并且，所述结晶的c轴取向于所述导电体的顶面的法线方向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法

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