【发明公布】一种微型发光元件及其制作方法_天津三安光电有限公司_202010360418.9 

申请/专利权人:天津三安光电有限公司

申请日:2018-05-04

发明/设计人:蔡景元;钟秉宪;吴俊毅

公开(公告)日:2020-07-24

代理机构:

公开(公告)号:CN111446340A

代理人:

主分类号:H01L33/30(20100101)

地址:300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号

分类号:H01L33/30(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.07.24#公开

摘要:本发明公开了一种微型发光元件及其制作方法,利用临时衬底对砷化镓、磷化镓、磷化铟衬底制作的微型发光元件的外延结构进行转移,去除外延生长衬底后,再进行后续的微型发光元件的制备工艺,相对于传统的外延结构制备芯片结构的工艺,能够有效避免湿法腐蚀去除生长衬底时对外延侧面的腐蚀。

主权项:1.微型发光元件的制作方法,包括以下步骤:(1)提供一生长衬底,衬底上由下至上包括砷化镓欧姆接触层、第一半导体层、发光层以及第二半导体层的发光外延叠层;(2)将发光外延叠层转移到临时衬底上,去除生长衬底;(3)在临时衬底上形成微型发光单元阵列,其中每一个微型发光单元包括第一电极和第二电极,所述第一电极、第二电极分别与第一半导体层、第二半导体层电性连接,并且第一电极形成在欧姆接触层上;(4)提供一支撑衬底,将微发光单元转移至支撑衬底,其中第一电极和第二电极朝向支撑衬底,用激光剥离和或磨削的方式去除临时衬底,所述的生长衬底为砷化镓。

全文数据:

权利要求:

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