申请/专利权人：天津三安光电有限公司

申请日：2018-05-04

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446340A

主分类号：H01L33/30(20100101)

分类号：H01L33/30(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.02#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本发明公开了一种微型发光元件及其制作方法，利用临时衬底对砷化镓、磷化镓、磷化铟衬底制作的微型发光元件的外延结构进行转移，去除外延生长衬底后，再进行后续的微型发光元件的制备工艺，相对于传统的外延结构制备芯片结构的工艺，能够有效避免湿法腐蚀去除生长衬底时对外延侧面的腐蚀。

主权项：1.微型发光元件的制作方法，包括以下步骤:（1）提供一生长衬底，衬底上由下至上包括砷化镓欧姆接触层、第一半导体层、发光层以及第二半导体层的发光外延叠层；（2）将发光外延叠层转移到临时衬底上，去除生长衬底；（3）在临时衬底上形成微型发光单元阵列，其中每一个微型发光单元包括第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别与第一半导体层、第二半导体层电性连接，并且第一电极形成在欧姆接触层上；（4）提供一支撑衬底，将微发光单元转移至支撑衬底，其中第一电极和第二电极朝向支撑衬底，用激光剥离和或磨削的方式去除临时衬底，所述的生长衬底为砷化镓。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津三安光电有限公司 一种微型发光元件及其制作方法

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