申请/专利权人：嘉兴敏德汽车零部件有限公司

申请日：2017-08-24

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN109427948B

主分类号：H01L33/58(20100101)

分类号：H01L33/58(20100101);H01L33/48(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.24#授权;2019.03.29#实质审查的生效;2019.03.05#公开

摘要：本发明公开了一种高压芯片出光单元，包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，所述的边缘调整座的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构，每个所述的光学微调结构包括一朝外倾斜的斜面。由于采用了本发明的结构，在光斑的边缘位置周围减少杂光，形成边缘清晰均匀分布的光斑。

主权项：1.一种高压芯片出光单元，其特征在于：包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，所述的边缘调整座的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构，每个所述的光学微调结构包括一朝外倾斜的斜面，所述的边缘调整座的侧面向内倾斜，所述的棱镜结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角，所述的光学微调结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角、所述的棱镜结构的倾斜角。

全文数据：高压芯片出光单元技术领域本发明涉及一种LED单元。背景技术现有照明组件的各个单元之间存在匹配的问题，如果装配精度不够，则会出现阴影等不良现象。发明内容为了克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种组合后照明均匀的高压芯片出光单元。为了达到以上目的，本发明提供了一种高压芯片出光单元，包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，所述的边缘调整座的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构，每个所述的光学微调结构包括一朝外倾斜的斜面。作为本发明进一步的改进，每个所述的棱镜结构的横截面均呈向外倾斜的三角形。作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小。作为本发明进一步的改进，每个所述的棱镜结构的间隔从内到外逐渐增加。作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构从内到外尺寸逐渐增加。作为本发明进一步的改进，所述的高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，所述的n-GaN层上形成有n型电极，所述的p-GaN层上形成有p型电极。作为本发明进一步的改进，所述的p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。作为本发明进一步的改进，所述的边缘调整座的侧面向内倾斜。作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角。作为本发明进一步的改进，所述的光学微调结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角、所述的棱镜结构的倾斜角。由于采用了本发明的结构，在光斑的边缘位置周围减少杂光，形成边缘清晰均匀分布的光斑。附图说明附图1为根据本发明的组件示意图；附图2和附图3为根据本发明的原理示意图。具体实施方式参见附图1至附图3，本发明的高压芯片出光单元包括一立方体的边缘调整座1，边缘调整座1的底面中心向上凹陷形成入光面2，凹陷内设置有高压芯片3，边缘调整座1的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面4，出光面4的交界线的投影与立方体的顶面的对角线相重合，边缘调整座1的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构5，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，边缘调整座1的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构6，每个光学微调结构6包括一朝外倾斜的斜面，光学微调结构6的整体高度略大于出光面4的高度。从图中可以看出，每个棱镜结构5的横截面均呈向外倾斜的三角形，棱镜结构5的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小，每个棱镜结构5的间隔从内到外逐渐增加，棱镜结构5从内到外尺寸逐渐增加。高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，n-GaN层上形成有n型电极，p-GaN层上形成有p型电极，另外，p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。可以看到，边缘调整座1的侧面向内倾斜，其中，棱镜结构5的倾斜角小于边缘调整座1侧面的倾斜角，光学微调结构6的倾斜角小于所述的边缘调整座1侧面的倾斜角和棱镜结构5的倾斜角。附图2是沿水平或者垂直方向的剖视图，附图3是沿对角线方向的剖视图。出光面4将高压芯片3的小角度出射光线以大体方形光斑的形状均匀投射，主要覆盖约80%的区域，如图中光线a所示；棱镜结构5将高压芯片3的较大角度的出射光线投射到方形光斑的边缘附近，如图中光线b、c所示，由于从内到外的出射光线角度越大，因此需要对棱镜结构采取渐变的结构以应对这种改变，主要覆盖约10%的区域；边缘调整座1的侧面将高压芯片3的最大角度的出射光线透射在方形光斑的边缘，如图中光线d，从而形成边缘清晰的方形，对整个光斑形成边缘约束作用；光学微调结构6将原本靠近光斑的边缘附近的、出光面4的底部附近的光线向下出射，如图中光线d，从而加强了方形光斑的边缘的清晰度，减少了边缘附近的杂光，可以防止组合使用时相邻单元之间叠加后产生亮斑。

权利要求：1.一种高压芯片出光单元，其特征在于：包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，所述的边缘调整座的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构，每个所述的光学微调结构包括一朝外倾斜的斜面。2.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：每个所述的棱镜结构的横截面均呈向外倾斜的三角形。3.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的棱镜结构的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小。4.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：每个所述的棱镜结构的间隔从内到外逐渐增加。5.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的棱镜结构从内到外尺寸逐渐增加。6.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，所述的n-GaN层上形成有n型电极，所述的p-GaN层上形成有p型电极。7.根据权利要求6所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。8.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的边缘调整座的侧面向内倾斜。9.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的棱镜结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角。10.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的光学微调结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角、所述的棱镜结构的倾斜角。

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