申请/专利权人：深圳先进技术研究院

申请日：2018-09-20

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN109244096B

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.24#授权;2019.02.19#实质审查的生效;2019.01.18#公开

摘要：本发明提供了X射线平板探测器及其制作方法，所述X射线平板探测器包括衬底、多个光电转换部、多个透光的第一电极以及第二电极。其中，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面凹陷形成多个槽孔；所述光电转换部设置于对应的槽孔内；所述第一电极设置于对应的光电转换部上，并且第一电极与对应的光电转换部电连接；所述第二电极设置于第二表面上。所述X射线平板探测器利用开设有槽孔的衬底作为模板，形成对应各个像素的光电转换部，每个光电转换部的大小取决于槽孔的孔径，而所述槽孔能通过刻蚀等工艺达到极小的尺寸水平，因此相比于现有技术，所述X射线平板探测器生成的图像的像素能进一步缩小，以提高图像的分辨率。

主权项：1.一种X射线平板探测器，其特征在于，包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面凹陷形成多个槽孔；多个光电转换部，所述光电转换部设置于对应的所述槽孔内；多个透光的第一电极，所述第一电极设置于对应的所述光电转换部上，并且所述第一电极与对应的所述光电转换部电连接；第二电极，设置于所述第二表面上。

全文数据：X射线平板探测器及其制作方法技术领域本发明涉及X射线探测器的技术领域，尤其是X射线平板探测器及其制作方法。背景技术X射线检测技术广泛应用在检测领域中，例如采用X射线机拍摄X射线胸片。X射线机的关键部件是X射线平板探测器，其作用是将X射线转化成定量的电信号，根据各个像素上的电信号生成图像。X射线平板探测器分为直接型平板探测器和间接型平板探测器。直接型平板探测器一般包括光电转换材料以及分别连接于所述光电转换材料相对的两面上的第一电极和第二电极，所述第一电极或所述第二电极设置为多个阵列排布的电极，以分别采集对应每个像素的电荷。X射线平板探测器中对应像素的电极外接薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列通过模数转换器连接到计算机，直接型平板探测器探测X射线，以在计算机上生成对应的图像。其具体的工作原理为：光电转换材料吸收照射其上的X射线，产生正电荷和负电荷；所述正电荷和所述负电荷在外加偏压电场的作用下，分别朝向第一电极和第二电极移动，形成电流；电荷被对应像素区域的第一电极或第二电极采集，存储于与第一电极或第二电极相接的薄膜晶体管阵列的电容器内，存储的电信号通过对应的薄膜晶体管，经过信号放大处理后传输到模数转换器，模数转换器将电信号转换为数字信号传输到计算机，所述计算机处理所述数字信号，根据各个像素的数字信号生成图像。现有技术中，常通过涂布和印刷等工艺直接制作形成预定尺寸的若干个对应像素的第一电极或第二电极，电极的大小受限于印刷喷头等制作工件的尺寸，难以在现有基础下进一步缩小。而与像素对应的电极的尺寸越大，对应X射线平板探测器输入到计算机生成的图像中的每个像素的尺寸越大，图像的分辨率越低，无法满足目前市场对于X射线平板探测器的成像清晰度的需求，因此，有必要提出新的方案解决该问题。发明内容有鉴于此，本发明的目的在于提供X射线平板探测器及其制作方法来解决上述问题。为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：本发明提供了一种X射线平板探测器，包括衬底、多个光电转换部、多个透光的第一电极以及第二电极。所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面凹陷形成多个槽孔；所述光电转换部设置于对应的所述槽孔内；所述第一电极设置于对应的所述光电转换部上，并且所述第一电极与对应的所述光电转换部电连接；所述第二电极设置于所述第二表面上。优选地，所述光电转换部包括钙钛矿材料。优选地，所述槽孔的孔径为10μm～90μm，相邻的所述槽孔之间的间距为20μm～140μm。优选地，所述第一电极在其对应的所述槽孔的横截面上的投影位于所述横截面以内。优选地，所述X射线平板探测器还包括设置于所述第一表面上的窗口绝缘层，所述窗口绝缘层形成有多个对应所述光电转换部的通孔，所述通孔露出所述第一电极。优选地，所述X射线平板探测器还包括设置在所述第一电极和其对应的光电转换部之间的电子传输层和空穴阻挡层，其中，所述电子传输层和所述空穴阻挡层顺序叠层于所述光电转换部上。本发明还提供了一种X射线平板探测器的制作方法，所述制作方法包括：提供具有相对的第一表面和第二表面的衬底；在所述第一表面上刻蚀形成多个槽孔；在每个槽孔内形成光电转换部；在每个光电转换部上形成对应的透光的第一电极，所述第一电极与其对应的光电转换部电连接；在所述第二表面上制作形成第二电极。所述在每个光电转换部上形成对应的透光的第一电极的方法包括：在所述光电转换部和所述第一表面上形成窗口绝缘层；在所述窗口绝缘层中形成与所述光电转换部相对的通孔；在所述通孔内形成所述第一电极。优选地，所述制作方法还包括：在每个第一电极和其对应的光电转换部之间形成顺序叠层于所述光电转换部上的电子传输层和空穴阻挡层。优选地，所述槽孔的孔径为10μm～90μm，相邻的所述槽孔之间的间距为20μm～140μm。优选地，所述第一电极在其对应的所述槽孔的横截面上的投影位于所述横截面以内。本发明提供的X射线平板探测器及其制作方法，利用开设有槽孔的衬底作为模板，将光电转换材料填充于所述衬底的槽孔内，形成对应各个像素的光电转换部，每个像素大小取决于所述槽孔的大小，相比于现有技术的方案，每个像素能进一步缩小，以提高X射线平板探测器生成的图像的分辨率，获得更高清晰度的图像。附图说明图1是本发明实施例提供的X射线平板探测器的结构示意图；图2是本发明实施例提供的X射线平板探测器外接器件的示意图；图3a～3g是本发明实施例提供的X射线平板探测器的制作方法在每个步骤中获得的结构的示意图。具体实施方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本发明的实施方式仅仅是示例性的，并且本发明并不限于这些实施方式。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和或处理步骤，而省略了关系不大的其他细节。参阅图1所示，本发明实施例提供了一种X射线平板探测器，所述X射线平板探测器包括衬底1、多个光电转换部2、多个透光的第一电极3以及第二电极4。其中，所述衬底1包括相对的第一表面1a和第二表面1b，所述第一表面1a凹陷形成多个槽孔10；所述多个光电转换部2设置于对应的所述槽孔10内；所述第一电极3设置于对应的所述光电转换部2上，并且所述第一电极3与对应的所述光电转换部2电连接；所述第二电极4设置于所述第二表面1b上。所述X射线平板探测器通过对提供的衬底1开设多个槽孔10，利用所述衬底1作为模板，向所述衬底1的槽孔10内填充可吸收光信号并将所述光信号转化为电信号的光电转换材料，形成光电转换部2，每个槽孔10内的光电转换部2对应图像的每个像素，使得每个像素的尺寸由衬底1上的槽孔10的孔径所决定，而衬底1可以通过刻蚀等工艺开设出尺寸极小的槽孔10，从而可以明显地缩小每个像素的尺寸，有效提高生成的图像的分辨率和锐度。且所述X射线平板探测器可以免于采用现有技术中外加高压的偏压电场的方案以提高生成图像的分辨率，减少了组件损坏的几率，能延长其使用寿命。具体地，在本实施例中，所述槽孔10呈圆形，所述槽孔10的孔径为10～90μm，相邻的所述槽孔10之间的间距为20～140μm。需要说明的是，上述间距具体指相邻的所述槽孔10各自的圆心之间的距离，因此，成型于所述槽孔10内的光电转换部2形成半径约为10～90μm的圆柱，相邻的光电转换部2之间的圆心距约为20～140μm，可以看出，对应该尺寸的光电转换部2的像素可以达到相当小的水平，由此，所述X射线平板探测器能获得具有足够清晰度的图像。本实施例中，所述第一电极3在其对应的所述槽孔10的横截面上的投影位于所述横截面以内，以确保所述第一电极3一一对应所述光电转换部2进行设置。其中，所述槽孔10的横截面指所述槽孔10平行于其径向的横垂直面。示例性地，所述衬底1为本征单晶硅材料制成的衬底，所述衬底1的电阻率为2000～5000Ω·cm。所述衬底1采用作为半导体的本征单晶硅材料，其将各个光电转换部2相互分隔，可以降低所述X射线平板探测器的漏电流密度，并且起到封装作用，减免了光电转换材料被空气氧化或受到潮解的情况发生。示例性地，所述光电转换部2包括但不限于呈晶型的钙钛矿材料。相比于现有技术中常用作光电转换材料的非晶硒材料，钙钛矿材料针对X射线的吸收系数较高，使得由钙钛矿材料制成的光电转换部2具有较宽的禁带宽度，对X射线具有较高的灵敏度，在较低剂量的X射线下仍能进行准确的探测到光能的变化，有效地提高了探测效率。进一步地，在本实施例中，所述光电转换部2包括但不限于氯化甲胺铅CH3NH3PbCl3、溴化甲胺铅CH3NH3PbBr3以及碘化甲胺铅CH3NH3PbI3中的任一种或两种以上的含铅钙钛矿材料。更进一步地，本实施例的所述光电转换部2优选采用溴化甲胺铅制成。进一步地，所述X射线平板探测器还包括设置于所述第一表面1a上的窗口绝缘层5，所述窗口绝缘层5形成有多个对应所述光电转换部2的通孔，所述通孔露出所述第一电极3。更进一步地，所述X射线平板探测器还包括设置在所述第一电极3和其对应的光电转换部2之间的电子传输层6和空穴阻挡层7，其中，所述电子传输层6和所述空穴阻挡层7顺序叠层于所述光电转换部2上。本实施例设置多个第一电极3一一对应光电转换部2，实际上，也能以第二电极4分为多个电极以一一对应各个光电转换部2。如图2所示图中为方便表现连接关系，仅画出了一个第一电极3对应连接的薄膜晶体管阵列，所述X射线平板探测器外接有薄膜晶体管阵列、模数转换器8以及计算机9。其中，所述薄膜晶体管阵列包括多个对应所述光电转换部的薄膜晶体管T，所述薄膜晶体管T对应与所述第一电极3连接，薄膜晶体管阵列T中设置的电容器C用于存储所述第一电极3上采集的电荷，所述模数转换器8与所述薄膜晶体管T连接，用于将通过所述薄膜晶体管T的电信号转换为数字信号，并将所述数字信号发送至所述计算机9，所述计算机9用于处理所述数字信号，根据所述数字信号显示图像。结合图3a～3g所示，本发明实施例还提供了一种X射线平板探测器的制作方法，所述制作方法包括步骤：如图3a所示，提供具有相对的第一表面1a和第二表面1b的衬底1。所述衬底1可采用厚度为300-500μm的本征单晶硅片或N型单晶硅片或本征P型单晶硅片。优选地，在本实施例中，所述衬底1采用厚度为500μm的本征单晶硅片，所述硅片的第一表面1a和第二表面1b进行抛光处理，而且所述硅片的第一表面1a和第二表面1b上均设有约300nm厚的氧化层。如图3b所示，在所述第一表面1a上刻蚀形成多个槽孔10。所述槽孔10可以通过采用电化学刻蚀工艺、反应离子刻蚀ReactiveIonEtching，RIE工艺以及电感耦合等离子InductivelyCouplePlasmaEtch，ICP刻蚀工艺进行刻蚀。本实施例优选采用电化学刻蚀工艺在所述衬底1的第一表面1a上刻蚀所述多个槽孔10，具体地，采用电化学刻蚀工艺在所述衬底1的第一表面1a上刻蚀多个槽孔的方法包括：在所述衬底1上采用镀膜工艺制备指定图案的窗口电极；利用所述窗口电极对所述衬底1进行电化学刻蚀，以在所述衬底1上形成所述多个槽孔10。示例性地，选用型号为AZ4620的光刻胶，将所述光刻胶旋涂到作为衬底1的硅片的第一表面1a，其中，旋涂用的匀胶机的旋转速度设定为4000rmin，旋转时间设定为40秒；将旋涂完毕的硅片放置于热台上进行加热，对光刻胶进行固化，其中，热台的加热温度设置为1b0℃，加热时间设置为3min；待光刻胶固化，将具有指定图案的掩模板覆盖至硅片上，以紫外光刻机对硅片曝光约40秒；将曝光后的硅片置入DPD-200显影液中进行显影约4min，在所述硅片的第一表面1a上形成具有指定图案的正性光刻胶，其中，所述正性光刻胶的厚度为8μm，所述正性光刻胶形成露出所述硅片的槽孔，所述槽孔的孔径约为40μm，相邻槽孔之间的圆心距约为70μm；在硅片的第二表面1b上旋涂一层正性光刻胶，参照上述方式对其进行加热固化；选用缓冲氧化物刻蚀液BOE，BufferedOxideEtch浸泡硅片约4min，腐蚀所述硅片在第一表面1a上露出的氧化层；用丙酮酒精水超声清洗所述硅片在第一表面1a上的正性光刻胶，将清洗后的硅片浸泡在温度约为80℃，质量分数为40％的KOH溶液中约30min，使硅片的第一表面1a上形成倒金字塔的层结构；将所述硅片浸泡在缓冲氧化物刻蚀液中约4min，腐蚀去除所述硅片的第二表面1b上的氧化层；然后选用型号为NR9-8000的负性光刻胶旋涂到所述硅片的第二表面1b，旋涂用的匀胶机的旋转速度设置为4000rmin，旋涂时间设置为40秒；将涂有负性光刻胶的硅片放置于约150℃的热台上，对所述硅片加热约3min；将所述硅片涂有负性光刻胶的第二表面1b放置于掩模板下方，曝光约30秒，在所述硅片的第二表面1b上形成指定图案的负性光刻胶，由于本实施例中，制得的所述衬底1中，所述槽孔10的孔径设置为10μm～90μm，相邻的所述槽孔10之间的圆心距设置为20μm～140μm，此处的图案选择设置为孔径为90μm而相邻圆心距为140μm的多个槽孔10；将曝光后的硅片放置于约100℃的热台上加热约3min；将加热后的硅片浸泡于DPD-200显影液中约40秒；利用电子束镀膜技术在所述硅片的第二表面1b上镀一层厚度为1微米的Ni-Al-Ni窗口电极；将镀有窗口电极的硅片浸泡于丙酮中，采用超声波处理30s除去所述硅片上的负性光刻胶，在硅片的第二表面1b上形成具有孔径为90微米而相邻槽孔之间的孔距为140微米的图案的窗口电极；利用电化学工作站，将硅片的第一表面1a置于浓度为3wt％～7wt％的HF溶液中，将硅片的第二表面1b暴露于150W卤灯照射下，将刻蚀电流的电流密度调至10～20mAcm2的范围，在恒电流模式下对硅片进行0～500min的电化学刻蚀，获得具有孔深为0～450μm的槽孔10的衬底1。如图3c所示，在每个槽孔10内形成光电转换部2。具体地，先向所述槽孔10内填充形成所述光电转换部2的一种前驱物；利用所述前驱物与另一种形成所述光电转换部2的前驱物进行反应，以在所述槽孔10内生成所述光电转换材料。本实施例的所述光电转换部2包括钙钛矿材料，优选采用溴化甲胺铅作为光电转换材料，该步骤先向所述槽孔10内填充光电转换材料的前驱物溴化铅PbBr2。示例性地，选用350目的不锈钢筛子筛取5g的溴化铅粉末；将经过筛取的溴化铅粉末均匀地铺设于所述衬底1的第一表面1a；将带有溴化铅粉末的衬底1置入不锈钢盒子中进行固定；将装有所述衬底1的不锈钢盒子置于真空炉内加热，真空炉设定的加热温度需要超出溴化铅的熔融温度，使所述衬底1的第一表面1a上的溴化铅熔融，流入衬底1的槽孔10内，对所述衬底1保温3个小时后进行自然冷却至室温，完成在所述槽孔10内填充光电转换材料的前驱物溴化铅。然后，在每个光电转换部2上形成对应的透光的第一电极3，所述第一电极3与其对应的光电转换部2电连接。其中，所述第一电极3在其对应的所述槽孔10的横截面上的投影位于所述横截面以内。具体地，所述在每个光电转换部2上形成对应的透光的第一电极3的方法包括：在所述光电转换部2和所述第一表面1a上形成窗口绝缘层5；在所述窗口绝缘层5中形成与所述光电转换部2相对的通孔；在所述通孔内形成所述第一电极3。如图3d所示，所述制作方法中，向所述槽孔10内填充光电转换材料的前驱物溴化铅后，先在所述衬底1的第一表面1a上制作窗口绝缘层5。所述窗口绝缘层5可采用二氧化硅、本征氧化锌以及三氧化二铝中的任意一种材料，可采用电子束镀膜工艺、PECVD工艺、原子层沉积工艺中的任意一种工艺在所述衬底的第一表面上沉积所述窗口绝缘层5。其中，所述窗口绝缘层5只设置于所述衬底1的第一表面1a上，不与所述衬底1中的溴化铅接触，有利于减少组件的漏电流，提升其性能。本实施例优选采用电子束镀膜工艺制备二氧化硅材质的窗口绝缘层5，示例性地，在填充有溴化铅的衬底1的第一表面1a上旋涂一层负性光刻胶，旋涂用的匀胶机的转速设置为4000rmin，旋涂时间设置为20～40秒，将涂胶后的衬底1放置在150℃的热台上加热约3min，对负性光刻胶进行固化；将所述衬底1的第一表面1a放置于与所述衬底1的图案对应的掩模板的下方进行对版，使掩膜板的通光孔对准衬底的槽孔，进行约30s的曝光；将曝光后的衬底1放置于100℃的热台上加热约3min；将加热后的衬底1浸泡到DPD-200显影液中约20～40s，去除未曝光的负性光刻胶，而使受到曝光的厚度为6～8μm的负性光刻胶覆盖于溴化铅的第一表面1a；利用电子束镀膜技术在衬底1的第一表面1a上沉积二氧化硅绝缘层；将镀有二氧化硅的衬底1浸泡到丙酮中，采用超声波进行30秒清洗，去除其余负性光刻胶，在衬底1上制得形成有与所述光电转换部2相对的通孔的窗口绝缘层5。制成所述窗口绝缘层5后，需要使填充于所述衬底1的槽孔10内的前驱物与另一种形成所述光电转换部2的前驱物进行反应，而具体为了前驱物溴化铅能在所述槽孔10内原位转化为溴化甲胺铅光电转换材料并形成所述光电转换部2，需要将所述溴化铅与所述溴化甲胺铅的另一种前驱物甲胺溴CH3NH3Br进行反应。示例性地，将上述填充有溴化铅的衬底1置入手套箱内，将甲胺溴粉末铺设于所述衬底1的正下方，将甲胺溴粉末与所述衬底1一同密封于同一容器内；将容器置于150～200℃高温的热台上加热5～20小时，自然冷却后，获得在所述槽孔10内生成有所述光电转换部2的衬底1。所述制作方法还包括：在每个第一电极3和其对应的光电转换部2之间形成顺序叠层于所述光电转换部2上的电子传输层6和空穴阻挡层7。如图3e所示，先在所述光电转换部2上对应制作电子传输层6；如图3f所示，再在所述电子传输层6上对应制作空穴阻挡层7。其中，所述电子传输层6可采用C60、PCBM富勒烯衍生物、氧化锌、二氧化钛以及二氧化锡中的任意一种材料。所述电子传输层优选为C60，本实施例采用热蒸镀工艺在所述光电转换部2上沉积一层C60电子传输层6，厚度为20nm。所述空穴阻挡层7的材料采用浴铜灵BCP，C26H20N2，浴铜灵可以降低后续制作的第一电极3的功函数，使所述第一电极3的功函数和电子传输层匹配，从而改善了电子的传输和收集效率，本实施例采用热蒸镀工艺在所述电子传输层6上沉积空穴阻挡层7，厚度为8nm。如图3g所示，在每个光电转换部2上形成对应的透光的第一电极3，所述第一电极3与其对应的光电转换部2电连接。具体地，在所述空穴阻挡层7上对应制作透光的第一电极3，使所述第一电极3与所述光电转换部2电连接。所述透光的第一电极3优选为半透明的金属电极，本实施例采用热蒸镀工艺在空穴阻挡层上沉积一层25nm的金作为第一电极3，第一电极3外接X射线平板探测器的测试仪器，将探测组件测得的X射线的信号传送到测试仪器中。最后，在所述第二表面1b上制作形成第二电极4。所述第二电极4的制作材料优选为金属电极，本实施例采用热蒸镀工艺在衬底的第二表面1b上沉积镍铝合金材料形成所述第二电极4，本实施例中，将所述第一电极3和第二电极4分别外接测试仪器的输入端的两极，以根据探测到的X射线的强弱进行成像。综上所述，本发明提供的X射线平板探测器及其制作方法，利用开设有槽孔10的衬底1作为模板，将光电转换材料填充于所述衬底1的槽孔10内，形成对应各个像素的光电转换部2，每个像素大小取决于所述槽孔10的大小，相比于现有技术的方案，每个像素能进一步缩小，以提高X射线平板探测器生成的图像的分辨率，获得更高清晰度的图像。而且，所述衬底1还起到将光电转换材料封装于其槽孔10内的作用，能够避免光电转换材料直接暴露于空气中而受到氧化和潮解。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

权利要求：1.一种X射线平板探测器，其特征在于，包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面凹陷形成多个槽孔；多个光电转换部，所述光电转换部设置于对应的所述槽孔内；多个透光的第一电极，所述第一电极设置于对应的所述光电转换部上，并且所述第一电极与对应的所述光电转换部电连接；第二电极，设置于所述第二表面上。2.根据权利要求1所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述光电转换部包括钙钛矿材料。3.根据权利要求1所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述槽孔的孔径为10μm～90μm，相邻的所述槽孔之间的间距为20μm～140μm。4.根据权利要求1或3所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述第一电极在其对应的所述槽孔的横截面上的投影位于所述横截面以内。5.根据权利要求1所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述X射线平板探测器还包括设置于所述第一表面上的窗口绝缘层，所述窗口绝缘层形成有多个对应所述光电转换部的通孔，所述通孔露出所述第一电极。6.根据权利要求1或5所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述X射线平板探测器还包括设置在所述第一电极和其对应的光电转换部之间的电子传输层和空穴阻挡层，其中，所述电子传输层和所述空穴阻挡层顺序叠层于所述光电转换部上。7.一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供具有相对的第一表面和第二表面的衬底；在所述第一表面上刻蚀形成多个槽孔；在每个槽孔内形成光电转换部；在每个光电转换部上形成对应的透光的第一电极，所述第一电极与其对应的光电转换部电连接；在所述第二表面上制作形成第二电极。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在每个光电转换部上形成对应的透光的第一电极的方法包括：在所述光电转换部和所述第一表面上形成窗口绝缘层；在所述窗口绝缘层中形成与所述光电转换部相对的通孔；在所述通孔内形成所述第一电极。9.根据权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在每个第一电极和其对应的光电转换部之间形成顺序叠层于所述光电转换部上的电子传输层和空穴阻挡层。10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述光电转换部包括钙钛矿材料。11.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述槽孔的孔径为10μm～90μm，相邻的所述槽孔之间的间距为20μm～140μm。12.根据权利要求7或11所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极在其对应的所述槽孔的横截面上的投影位于所述横截面以内。

百度查询： 深圳先进技术研究院 X射线平板探测器及其制作方法

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