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【发明授权】半导体器件_瑞萨电子株式会社_201480001983.9 

申请/专利权人:瑞萨电子株式会社

申请日:2014-01-29

公开(公告)日:2020-07-24

公开(公告)号:CN104603940B

主分类号:H01L23/64(20060101)

分类号:H01L23/64(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.07.24#授权;2016.11.09#实质审查的生效;2015.11.04#著录事项变更;2015.05.06#公开

摘要:使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜IL2上的线圈CL1及布线M2;形成于层间绝缘膜IL3上的布线M3;形成于层间绝缘膜IL4上的线圈CL2及布线M4。且线圈CL2与布线M4的距离DM4比线圈CL2与布线M3的距离DM3大DM4DM3。另线圈CL2与布线M3的距离DM3大于等于位于线圈CL1与线圈CL2间的层间绝缘膜IL3的膜厚与层间绝缘膜IL4的膜厚之和。由此能使易产生高电压差的线圈CL2与布线M4间等的绝缘耐压提高。另设置包围变压器形成区域1A和周边回路形成区域1B的密封环形成区域1C,实现耐湿性的提高。

主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,具有:具有主表面的衬底;形成于所述衬底的所述主表面上的第1绝缘膜;形成于所述第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线;形成于所述第1线圈及所述第1布线之上的第2绝缘膜;形成于所述第2绝缘膜之上的第2布线;形成于所述第2布线之上的第3绝缘膜;以及形成于所述第3绝缘膜之上的第2线圈及第3布线,所述第1线圈在俯视下与所述第2线圈重合,所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离比剖视下所述第1线圈与所述第2线圈之间的最短距离大,在剖视下在所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离上没有配置布线。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 瑞萨电子株式会社 半导体器件

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